SBR12E45LH1-13

在追求极致能效的今天，您是否还在为传统肖特基二极管在高压下的高功耗和温升问题而烦恼？想象一下，如果有一种解决方案，能将正向压降降低至惊人的520mV，同时轻松承载12A的电流，您的电源设计将迎来怎样的性能飞跃？这正是SBR12E45LH1-13超级势垒整流器（SBR）为您带来的核心价值。它不仅仅是一个元件，更是提升系统整体效率、降低热管理成本的关键钥匙。

这款来自Diodes Incorporated的明星产品，完美融合了低功耗与高可靠性。其独特的超级势垒技术，在45V的反向电压下，实现了比传统肖特基二极管更低的正向压降和反向漏电流。这意味着在服务器电源、工业电机驱动、通信基站电源或高功率密度适配器等严苛应用中，SBR12E45LH1-13能显著减少导通损耗，让宝贵的电能更多地转化为有效输出，而非令人头疼的热量。更低的温升直接带来了更高的系统稳定性与更长的使用寿命，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借卓越的能效表现脱颖而出。

选择SBR12E45LH1-13，就是选择了一种面向未来的设计思路。其采用的PowerDI 5SP封装，专为高功率密度和卓越的热性能而优化，表面贴装的设计让自动化生产更加便捷，同时确保了在紧凑空间内依然能高效散热。当您致力于打造更小巧、更高效、更可靠的电源模块时，这颗芯片提供的不仅仅是参数上的优势，更是一整套提升产品竞争力的解决方案。我们作为值得信赖的DIODES授权代理，能够为您提供从技术选型到稳定供货的全方位支持，确保您的创新想法能够快速、稳妥地落地实现。

从数据中心到工厂车间，从5G基础设施到新能源设备，对高效电能转换的需求无处不在。SBR12E45LH1-13以其12A的强劲电流能力和超低的Vf表现，正在重新定义高效率整流的标准。它让设计工程师能够突破传统方案的能效瓶颈，在更宽的负载范围内保持高效运行，从而帮助终端产品满足日益严苛的能效法规，并赢得市场青睐。拥抱这项先进技术，让您的下一个电源设计项目，从一开始就站在更高的起点上。

• 型号:SBR12E45LH1-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5SP
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SBR 45V 12A POWERDI5SP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:45 V
• 电流 - 平均整流 (Io):12A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):520 mV @ 12 A
• 速度:标准恢复 \>500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300 A @ 45 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:PowerDI 5SP
• 供应商器件封装:PowerDI5SP
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C
• SBR12E45LH1-13的官网价格：3000:$0.41168，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。