SBR2M30P1-7

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为传统肖特基二极管的正向压降损耗而烦恼？想象一下，在2A的电流下，正向压降每降低0.1V，就能为您的系统节省可观的能量，并显著降低发热。这正是SBR2M30P1-7超级势垒整流器带来的核心价值。它采用Diodes Incorporated革命性的SBR技术，将2A电流下的典型正向压降（Vf）一举降至仅460mV，远低于同规格的普通肖特基二极管。这意味着更低的导通损耗、更高的系统效率，以及更凉爽的运行温度，让您的产品在能效竞赛中轻松脱颖而出。

这颗芯片的应用场景极为广泛，尤其适合那些对空间和效率有严苛要求的领域。无论是紧凑型AC-DC适配器、电视和显示器的待机电源，还是车载充电器、USB PD快充模块，甚至是服务器和通信设备的分布式电源架构，SBR2M30P1-7都能大显身手。其30V的反向耐压和2A的持续整流电流，为12V或24V总线系统的次级侧整流、OR-ing（或门）电路以及反向电流保护提供了可靠而高效的解决方案。其标准的恢复速度确保了在通用开关频率下的稳定表现，而表面贴装的PowerDI 123封装则极大地节省了宝贵的PCB空间，简化了生产流程。

选择SBR2M30P1-7，就是选择了一种经过市场验证的可靠性能与前瞻性技术的结合。它不仅解决了效率瓶颈，其超低的反向漏电流（仅200A @ 30V）也提升了系统的待机性能，符合日益严格的能效法规。更重要的是，通过正规的DIODES授权代理渠道获取，您将获得原厂品质保证、稳定的供货支持以及专业的技术服务，确保您的项目从设计到量产一路畅通。让这颗小小的芯片，成为您打造下一代高效、紧凑、可靠电源产品的强大基石，开启能效新纪元。

• 型号:SBR2M30P1-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI 123
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SBR 30V 2A POWERDI 123
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:30 V
• 电流 - 平均整流 (Io):2A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):460 mV @ 2 A
• 速度:标准恢复 \>500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 A @ 30 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:POWERDI123
• 供应商器件封装:PowerDI 123
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C
• SBR2M30P1-7的官网价格：1:$0.85000|3000:$0.20114，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。