




SBR8E45P5-13
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管,封装:PowerDI 5
- 技术参数:DIODE SBR 45V 5A POWERDI5
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
SBR8E45P5-13参数详情:
当您的电源设计面临效率瓶颈,当每一毫伏的压降都意味着能量的浪费和热量的累积,您是否在寻找一个能彻底改变游戏规则的解决方案?今天,我们为您带来一个答案SBR8E45P5-13。这不仅仅是一颗整流二极管,它是Diodes Incorporated基于革命性SBR(超级势垒整流器)技术的杰作,专为追求极致效率与可靠性的工程师而生。想象一下,在5A的满载电流下,正向压降仅为惊人的600mV,这意味着更低的导通损耗、更少的热量产生,以及整个系统能效的显著跃升。在45V的反向电压下,它依然能保持稳定可靠的性能,让您的设计在严苛环境下也能游刃有余。
这种卓越的性能,让SBR8E45P5-13成为众多高要求应用的理想心脏。无论是服务器和数据中心里24小时不间断运行的开关电源(SMPS),还是新能源汽车充电桩中需要高效电能转换的模块;无论是工业自动化设备中驱动电机和控制的电源板,还是消费类电子产品的快速充电适配器,它都能完美胜任。其表面贴装的PowerDI 5封装,不仅节省了宝贵的PCB空间,更优化了散热路径,让高功率密度设计成为可能。选择它,就是为您的产品注入了高效、紧凑与可靠的核心基因。
那么,为什么SBR8E45P5-13能从众多整流方案中脱颖而出?关键在于它用“超级势垒”技术重新定义了整流二极管的性能边界。与传统肖特基二极管相比,它在保持低导通压降优势的同时,大幅降低了反向漏电流(仅280A @ 45V),这意味着更低的待机功耗和更高的工作温度裕量。其标准恢复速度足以应对大多数开关电源频率需求,确保了系统的稳定运行。当您致力于打造下一代高效能产品时,这颗芯片就是您提升竞争力、降低系统总成本的秘密武器。如需获取样品、技术资料或采购支持,我们的DIODES中国代理团队随时准备为您提供专业服务,助您将创新构想快速转化为市场领先的产品。
- 型号:SBR8E45P5-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:PowerDI 5
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- 描述:DIODE SBR 45V 5A POWERDI5
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 技术:超级势垒
- 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V
- 电流 - 平均整流 (Io):5A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 5 A
- 速度:标准恢复 \>500ns,\> 200mA(Io)
- 反向恢复时间 (trr):-
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:280 A @ 45 V
- 不同Vr、F 时电容:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:PowerDI 5
- 供应商器件封装:PowerDI 5
- 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
- SBR8E45P5-13的官网价格:5000:$0.20020,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















