




SBRT05U10LP-7B
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管,封装:X1-DFN1006-2
- 技术参数:DIODE SBR 10V 500MA X1DFN10062
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SBRT05U10LP-7B参数详情:
在追求极致能效的电子设计竞赛中,您是否还在为传统肖特基二极管在低压下的高损耗而烦恼?现在,答案来了。我们隆重推出SBRT05U10LP-7B,这颗基于革命性TrenchSBR技术的超级势垒整流器,将为您开启一个全新的高效能时代。它不仅仅是一个元件,更是您产品在能效、空间和可靠性上全面领先的关键一步。
想象一下,在您精巧的便携式设备内部,无论是智能手机、TWS耳机还是可穿戴健康监测仪,空间都寸土寸金,每一毫瓦的功耗都至关重要。SBRT05U10LP-7B正是为此而生。其惊人的390mV超低正向压降(在500mA条件下),意味着在相同的电流下,它产生的热损耗远低于传统肖特基二极管,直接转化为更长的电池续航和更凉爽的运行温度。这对于依赖电池供电、且对散热敏感的设备来说,是决定性的优势。同时,其10V的反向耐压和仅1mA的低反向漏电流,确保了在待机或轻载状态下,能量依然被牢牢锁住,杜绝无谓的浪费。
这颗芯片的价值远不止于便携设备。在需要高密度布板的服务器电源模块、网络通信设备的POL(负载点)转换器中,或者在汽车电子的小型化控制单元里,SBRT05U10LP-7B的X1-DFN1006-2(0402公制)超紧凑封装展现出巨大威力。它允许工程师在有限的PCB面积上实现更复杂的功能集成,或为其他关键器件腾出宝贵空间,从而优化整体系统布局。选择它,就是选择了一种面向未来的设计哲学在性能与尺寸之间不做妥协。
那么,为什么众多领先企业将SBRT05U10LP-7B作为其高效能设计的首选?理由清晰而有力。首先,它代表了Diodes Incorporated在功率半导体领域的尖端技术结晶,TrenchSBR结构带来了性能的质的飞跃。其次,它解决了现代电子设计的核心痛点:提升能效与缩小体积。最后,其卓越的可靠性和一致性,为您的量产产品提供了坚实的质量保障。如果您正在寻找一个值得信赖的合作伙伴来获取这颗明星产品,专业的DIODES代理商将为您提供从选型支持到稳定供货的全链路服务。立即采用SBRT05U10LP-7B,让它成为您下一代产品中那颗看不见却至关重要的“高效之心”,驱动您的创意走向市场巅峰。
- 型号:SBRT05U10LP-7B
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:X1-DFN1006-2
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- 描述:DIODE SBR 10V 500MA X1DFN10062
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 技术:超级势垒
- 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):10 V
- 电流 - 平均整流 (Io):500mA
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):390 mV @ 500 mA
- 速度:标准恢复 \>500ns,\> 200mA(Io)
- 反向恢复时间 (trr):-
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 mA @ 10 V
- 不同Vr、F 时电容:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:0402(1006 公制)
- 供应商器件封装:X1-DFN1006-2
- 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C
- SBRT05U10LP-7B的官网价格:10000:$0.12171,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















