ZVN0545GTA

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为高压小信号开关的选型而烦恼？既要满足高耐压的严苛要求，又要在紧凑空间内实现稳定可靠的控制，这常常让工程师面临两难选择。现在，让我们向您隆重介绍一款专为这类挑战而生的解决方案ZVN0545GTA。这款来自Diodes Incorporated的高性能N沟道MOSFET，以其450V的高漏源电压和仅140mA的连续漏极电流，精准定位了高压、低电流应用场景，为您带来前所未有的设计自由度和系统可靠性。

想象一下，在您的智能家居电源管理模块中，需要一颗器件来安全地切换待机电路的供电；或者在工业传感器的信号调理前端，需要一个可靠的开关来隔离高压信号。这正是ZVN0545GTA大显身手的舞台。它不仅仅是一个开关，更是系统稳定性的守护者。其高达450V的击穿电压，让它在应对市电整流后的高压或工业总线电压时游刃有余，有效防止过压击穿，大幅提升终端产品的耐用性和安全性。同时，其紧凑的SOT-223封装，完美适配高密度PCB布局，让您在有限的空间内集成更多功能，实现产品的小型化与高性能的统一。

选择ZVN0545GTA，就是选择了一份安心与高效。它拥有仅3V的低阈值开启电压，意味着您可以用标准的微控制器GPIO口直接驱动，无需复杂的电平转换电路，简化设计，降低成本。其优异的导通电阻特性，确保了在开关过程中的低功耗，直接转化为更长的设备续航或更低的散热需求。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，让它无惧严寒酷暑，稳定运行于各种恶劣环境。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，我们的DIODES一级代理渠道将为您提供从样品到批量生产的全程保障，确保您的项目顺利推进。让ZVN0545GTA成为您下一个创新设计中，那颗不可或缺的高压控制核心。

• 型号:ZVN0545GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 450V 140MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:450 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 欧姆 @ 100mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:70 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZVN0545GTA的官网价格：1:$1.39000|1000:$0.40879，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。