ZVP3306FTA

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能精准控制微小电流，又能承受较高电压的可靠开关而烦恼？现在，答案已经揭晓。让我们向您隆重介绍ZVP3306FTA，这颗来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，正以其卓越的性能重新定义小信号功率管理的标准。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品可靠性、简化电路布局、并最终赢得市场的关键伙伴。

想象一下，在您的便携式设备、电池管理系统或精密传感器模块中，需要一颗能够在60V高压下稳定工作，同时只消耗极低驱动电流的开关。ZVP3306FTA正是为此而生。其P通道设计，配合仅需10V的驱动电压和低至14欧姆的导通电阻，意味着您可以用更简单的电路实现高效的电源路径管理或信号切换。无论是用于负载开关、电平转换，还是作为模拟开关的一部分，它都能确保信号纯净、损耗最小，让您的产品在待机时长和运行效率上脱颖而出。其宽广的-55°C至150°C工作温度范围，更是为工业控制、汽车电子等严苛环境应用提供了坚实保障。

选择ZVP3306FTA，就是选择了一份来自全球知名半导体制造商Diodes的品质承诺。其紧凑的SOT-23-3封装，为您节省了宝贵的PCB空间，让设计更加灵活纤薄。高达330mW的功率处理能力和90mA的连续漏极电流，为各种小功率应用提供了充裕的安全余量。当您需要稳定可靠的供应链与专业的技术支持时，我们的DIODES中国代理团队随时待命，确保您能轻松获取这颗高性能芯片，并快速将其优势转化为您产品的市场竞争力。立即采用ZVP3306FTA，开启高效、可靠的设计新篇章。

• 型号:ZVP3306FTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 90MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 18 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• ZVP3306FTA的官网价格：1:$0.85000|3000:$0.20142，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。