




ZVP3310ASTZ
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:E-Line(TO-92 兼容)
- 技术参数:MOSFET P-CH 100V 140MA E-LINE
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
ZVP3310ASTZ参数详情:
在追求极致能效与可靠性的电子设计中,您是否还在为寻找一款能在高压环境下稳定工作、同时保持小巧体积的P沟道MOSFET而烦恼?今天,我们为您带来一个经过市场验证的经典解决方案ZVP3310ASTZ。这款来自Diodes Incorporated的明星产品,虽然已进入停产生命周期,但其卓越的性能和广泛的适用性,使其至今仍是许多经典设计和新项目备选的可靠之选,尤其适合那些对长期稳定供应有规划的批量应用。
想象一下,在您的电源管理模块、负载开关或信号切换电路中,一颗芯片需要默默承受高达100V的电压,同时以极低的140mA静态电流实现精准控制。ZVP3310ASTZ正是为此而生。它采用经典的E-Line(TO-92兼容)封装,通孔安装方式为您的PCB布局提供了坚固耐用的物理基础。其P沟道设计简化了驱动逻辑,在10V驱动电压下即可实现高效导通,最大导通电阻仅20欧姆,这意味着更低的导通损耗和更高的整体效率。从-55°C到150°C的广阔工作温度范围,让它无惧严寒酷暑,在工业控制、汽车电子乃至苛刻的户外设备中都能游刃有余。
它的身影常常出现在需要高效、隔离控制的场景中。例如,在电池供电设备的电源路径管理中,它可以作为理想的负载开关,有效防止电池反接并管理功耗;在通信模块中,它能可靠地切换信号线路;在工业传感器的供电部分,它能确保高压侧的安全隔离与通断。其极低的输入电容(最大50pF)意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗,让您的系统响应更加敏捷。当您需要一款性能稳定、参数均衡的P-MOSFET来构建系统的“守门员”角色时,选择它就意味着选择了经受过时间考验的可靠性。我们作为专业的DIODES芯片代理,深知这类经典器件的价值,并致力于为客户提供可靠的供应渠道与技术支持,帮助您的设计在性能与成本间找到最佳平衡点。
那么,为何在众多选择中,ZVP3310ASTZ依然值得您的关注?答案在于其无可替代的“性价比”与“成熟度”。对于许多已量产或需要长期维护的产品线而言,更换一个核心器件意味着重新认证的巨大成本和风险。这款芯片提供了标准的TO-92兼容封装和清晰明确的参数,设计导入简单,文档齐全。高达625mW的功率耗散能力为其在小型化设计中提供了充足的安全余量。选择它,不仅是选择了一个电子元件,更是选择了一个风险更低、开发更顺畅的方案。让我们助您盘活现有设计,或为新的创意找到最坚实的基石。
- 型号:ZVP3310ASTZ
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:E-Line(TO-92 兼容)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 100V 140MA E-LINE
- 系列:-
- 包装:带盒(TB)
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140mA(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):20 欧姆 @ 150mA,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):50 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):625mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:E-Line(TO-92 兼容)
- 封装/外壳:E-Line-3
- ZVP3310ASTZ的官网价格:2000:$0.24255,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















