




ZXM64N035L3
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:单端场效应管,TO-220-3
- 技术参数:MOSFET N-CH 35V 13A TO-220-3
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
ZXM64N035L3参数详情:
想象一下,您的电源管理系统在满负荷运行时,开关损耗降低了15%,整体效率提升了3个百分点这不仅仅是数字游戏,而是实实在在的成本节约与性能飞跃。这正是ZXM64N035L3能够为您带来的核心价值之一。作为Diodes Incorporated精心打造的一款N沟道MOSFET,它不仅仅是一个电子元件,更是您提升产品竞争力的得力助手。其35V的漏源极电压与高达13A的连续漏极电流能力,为各种中功率应用提供了坚实的硬件基础,而低至60毫欧的导通电阻,意味着更少的能量以热量的形式被浪费,让您的系统运行得更冷静、更持久。
无论是工业自动化设备中电机的精准驱动,还是消费类电子产品里高效的DC-DC转换,甚至是汽车电子中那些要求苛刻的负载开关,ZXM64N035L3都能游刃有余。TO-220-3的经典封装不仅保证了出色的散热性能,也简化了您的生产流程,让设计与制造无缝衔接。当您需要一颗在25V下输入电容仅为950pF、栅极电荷低至27nC的MOSFET来实现快速开关、减少开关损耗时,选择它就意味着选择了更快的响应速度和更高的系统频率潜力。我们深知,可靠的供应链至关重要,因此通过DIODES授权代理渠道,您可以确保获得原装正品与稳定的供货支持,让项目推进再无后顾之忧。
那么,在众多同类产品中,为何最终锁定ZXM64N035L3?答案在于它精准的性能平衡与卓越的性价比。它没有一味追求极致的参数,而是在电压、电流、导通电阻、开关特性以及封装形式之间找到了一个绝佳的平衡点。这个平衡点,恰好覆盖了最广泛的中低压、中电流应用场景。1V的低栅极阈值电压使其易于驱动,而1.5W的功率处理能力则确保了在苛刻环境下的稳定运行。它就像一位全能型的选手,可能不是每个单项的冠军,但综合得分最高,最能帮助您的产品在可靠性、效率和成本之间找到黄金分割点。选择ZXM64N035L3,就是选择了一份经过市场验证的稳健与高效。
- Diodes公司完整型号:ZXM64N035L3
- 制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
- 描述:MOSFET N-CH 35V 13A TO-220-3
- 系列:-
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:标准
- 漏源极电压 (Vdss):35V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3.5A(Ta),13A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):60 毫欧 @ 3.7A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):950pF @ 25V
- 功率 - 最大值:1.5W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220-3
- ZXM64N035L3的官网价格:2.85,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















