ZXMN10A07ZTA

想象一下，当您的电源管理或负载开关设计需要在紧凑空间内实现高效、可靠的电流控制时，您是否曾为寻找一颗兼具性能与成本优势的MOSFET而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐ZXMN10A07ZTA，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为应对此类挑战而生的卓越解决方案。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品能效、简化设计流程、增强系统可靠性的得力助手。

这颗芯片的强大之处，首先体现在其出色的电气性能上。高达100V的漏源电压（Vdss）和1A的连续漏极电流能力，让它能够从容应对多种中压应用场景。更令人印象深刻的是，在10V驱动电压下，其导通电阻（RdsOn）最大值仅为700毫欧，这意味着在导通状态下，它能将能量损耗降至极低，显著减少发热，从而让您的设备运行更凉爽、更持久。无论是用于DC-DC转换器中的同步整流、电机驱动中的H桥控制，还是作为负载开关管理电池供电设备中的各路电源，ZXMN10A07ZTA都能凭借其低损耗、高切换速度的特性，确保系统高效、稳定地运行。

选择ZXMN10A07ZTA，就是选择了一份安心与高效。其紧凑的SOT-89-3封装，完美适配高密度PCB布局，为您节省宝贵的板级空间。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在严苛环境下依然表现稳定，从消费电子到工业控制，都能轻松胜任。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着它易于驱动，能够简化您的驱动电路设计，进一步降低整体系统成本。当您需要稳定可靠的供货和技术支持时，请务必联系我们的DIODES代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让ZXMN10A07ZTA成为您下一个项目的“核心动力”，体验高效能、高可靠性带来的卓越价值。

• 型号:ZXMN10A07ZTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-89-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:138 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-89-3
• 封装/外壳:TO-243AA
• ZXMN10A07ZTA的官网价格：1:$1.03000|1000:$0.27272，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。