ZXMN20B28KTC

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在高压环境下稳定工作、同时兼顾出色导通性能与紧凑封装的MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来一个堪称完美的解决方案ZXMN20B28KTC。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其200V的耐压能力和高达1.5A的连续漏极电流，为您的电源管理、电机驱动等应用注入了强劲而可靠的核心动力。它不仅是一颗元器件，更是您提升产品性能、优化系统设计的得力助手。

想象一下，在您的开关电源设计中，ZXMN20B28KTC能够轻松应对高达200V的电压挑战，其低至750毫欧的导通电阻（在10V Vgs条件下）意味着更低的导通损耗和更高的整体效率，让您的设备运行更凉爽、更持久。无论是家用电器中的辅助电源、LED照明驱动，还是工业控制模块中的功率切换，这颗芯片都能以其卓越的电气特性，确保系统在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定运行。其TO-252-3（DPAK）的表面贴装封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，大幅提升您的制造效率。

选择ZXMN20B28KTC，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商Diodes的品质承诺。其极低的栅极电荷（仅8.1nC @ 5V）和输入电容，确保了快速的开关速度，能有效减少开关损耗，特别适合高频开关应用。这意味着您的产品不仅能获得优异的能效表现，还能在响应速度和可靠性上脱颖而出。当您需要可靠的原厂正品和及时的技术支持时，我们的DIODES授权代理渠道将为您提供从选型到供货的全方位服务保障。让这颗集高性能、高可靠性与高性价比于一身的MOSFET，成为您下一个成功产品的坚实基石，助您轻松驾驭各种复杂的功率管理挑战，赢得市场竞争的先机。

• 型号:ZXMN20B28KTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 2.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.1 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:358 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• ZXMN20B28KTC的官网价格：1:$1.25000|2500:$0.32222，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。