




ZXMP10A18GTA
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:
- 技术参数:MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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ZXMP10A18GTA参数详情:
在追求极致能效与紧凑设计的今天,您的电源管理方案是否还在为高损耗和散热问题所困扰?想象一下,一颗能够轻松驾驭100V高压、持续输出2.6A强劲电流,同时将导通电阻牢牢控制在毫欧级别的功率开关,能为您的产品带来怎样的性能飞跃与成本优化?这正是ZXMP10A18GTA为您呈现的答案。
这颗来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET,绝不仅仅是一颗普通的开关。它采用先进的MOSFET技术,在10V驱动电压下,导通电阻低至惊人的150毫欧,这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生。无论是面对严苛的工业环境还是追求轻薄便携的消费电子,它都能确保系统运行得更冷静、更持久。其高达2W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围,赋予了产品无与伦比的可靠性与环境适应性,让您的设计从容应对各种挑战。
当我们将目光投向实际应用,ZXMP10A18GTA的身影无处不在。在智能家居的电源模块中,它高效完成负载开关与电源路径管理,让设备待机功耗大幅降低;在便携式设备的电池保护与充电电路中,其优异的性能保障了快速充电的安全与稳定;在工业自动化设备的电机驱动或DC-DC转换器里,它则是实现高效能量控制的核心基石。选择它,就是为您的产品注入了高效、可靠的心脏。
那么,为何众多领先企业都将ZXMP10A18GTA作为首选?答案在于其卓越的综合价值。它不仅以SOT-223的小巧封装节省了宝贵的PCB空间,更通过低栅极电荷(典型值26.9nC)和输入电容,显著降低了开关损耗,提升了整体系统效率。这意味着更长的电池续航、更小的散热器需求以及更低的系统总成本。要获得这颗性能尖兵的稳定供应与专业技术支持,信赖可靠的DIODES一级代理是关键。他们能确保您获得原装正品,并为您提供从选型到量产的全程护航,让创新之路畅通无阻。
- 型号:ZXMP10A18GTA
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:最后售卖
- ZXMP10A18GTA的官网价格:1:$3.11000|1000:$1.03555,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















