2DB1188P-13

在追求极致能效与稳定性的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能够兼顾高电流承载与快速响应的PNP晶体管而反复权衡？现在，答案已经揭晓。由Diodes Incorporated精心打造的2DB1188P-13，正是为满足您对高性能与可靠性的双重期待而生。它不仅仅是一个元件，更是您产品实现卓越性能、提升市场竞争力的关键引擎。

想象一下，在您的电源管理模块中，这颗芯片凭借高达2A的集电极电流和32V的击穿电压，能够从容应对各种负载切换与稳压需求，确保系统即使在严苛条件下也能稳定运行。其低至800mV的饱和压降，意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更高的整体能效和更长的设备续航。无论是消费电子中的电机驱动、音频放大，还是工业控制中的信号开关与接口保护，2DB1188P-13都能无缝融入，以其高达120MHz的跃迁频率确保信号的快速与精准，让您的设计响应迅捷，毫不拖沓。

选择2DB1188P-13，就是选择了一份来自顶尖制造商的品质承诺。其宽达-55°C至150°C的工作温度范围，赋予了产品无与伦比的环境适应性，从酷寒到极热都能稳定工作。表面贴装（SOT89-3）的紧凑封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，也简化了您的生产流程。当您需要可靠的技术支持与稳定的供货渠道时，专业的DIODES芯片代理将成为您坚实的后盾，确保您能专注于核心创新，而无后顾之忧。让这颗集高效、可靠、灵活于一身的晶体管，成为您下一个成功产品的强大心脏。

• 型号:2DB1188P-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-89-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS PNP 32V 2A SOT-89-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:PNP
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:2 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:32 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:800mV @ 200mA，2A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:82 @ 500mA，3V
• 功率 - 最大值:1 W
• 频率 - 跃迁:120MHz
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-243AA
• 供应商器件封装:SOT-89-3
• 2DB1188P-13的官网价格：2500:$0.14132|1:$0.70000，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。