BS870-7-F

在追求极致能效与可靠性的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在紧凑空间内稳定驱动负载、同时兼顾成本与性能的开关解决方案而反复权衡？答案或许就藏在BS870-7-F这颗精巧而强大的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的得力助手，以其60V的耐压能力和高达250mA的连续漏极电流，为各种低压到中压应用场景注入了澎湃而精准的控制力。

想象一下，在您的便携式设备、智能家居模块或工业传感器中，需要高效、安静地切换信号或电源路径。BS870-7-F正是为此而生。其仅5欧姆的低导通电阻（在10V驱动电压下），意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了系统的整体效率与续航能力。无论是用于负载开关、电平转换，还是电机驱动、LED调光中的精密控制，它都能确保快速响应与稳定运行，让您的设计在激烈的市场竞争中脱颖而出。

选择BS870-7-F，就是选择了一份值得信赖的承诺。它源自Diodes Incorporated的成熟工艺，确保了从-55°C到150°C的广阔工作温度范围内的一致性能，适应各种苛刻环境。其微小的SOT-23-3封装，完美契合了当今电子产品小型化、高密度的设计趋势，为您节省宝贵的PCB空间。更重要的是，通过与可靠的DIODES代理商合作，您不仅能获得正品保障与有竞争力的价格，还能享受到专业的技术支持与稳定的供货服务，让您的项目从研发到量产全程无忧。立即体验BS870-7-F带来的高效与可靠，为您的下一个创新设计奠定坚实基石。

• 型号:BS870-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):250mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• BS870-7-F的官网价格：1:$0.29000|3000:$0.06080，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。