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DMN10H220LPDW-13供应商
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DMN10H220LPDW-13
- 制造厂商：DIODES（美台半导体）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:PowerDI5060-8（R 类）
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 100V 8A PWRDI50
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DMN10H220LPDW-13参数详情：
- 型号:DMN10H220LPDW-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:PowerDI5060-8（R 类）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 100V 8A PWRDI50
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:100V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:222 毫欧 @ 2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.7nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:384pF @ 25V
- 功率 - 最大值:2.2W（Ta）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- 供应商器件封装:PowerDI5060-8（R 类）
- DMN10H220LPDW-13的官网价格：2500:$0.21720，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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