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BZT52C30-7-F供应商
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BZT52C30-7-F
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:SOD-123
- 技术参数:DIODE ZENER 30V 500MW SOD123
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
BZT52C30-7-F参数详情:
在追求极致稳定性的电子设计中,您是否曾为电压波动带来的系统风险而担忧?当电路中的关键节点需要精准的电压参考或可靠的过压保护时,一颗性能卓越的齐纳二极管就是您最坚实的防线。今天,我们为您带来一款在精度、可靠性与空间效率上表现卓越的解决方案BZT52C30-7-F。它不仅仅是一个元件,更是您产品稳定运行的守护者,以其30V的精准稳压能力和高达500mW的功率处理水平,为您的设计注入前所未有的信心。
想象一下,在紧凑的便携式设备、精密的传感器模块或高效的电源管理单元中,空间何其宝贵,稳定性又何其关键。BZT52C30-7-F正是为此而生。它采用微型SOD-123封装,几乎不占用宝贵的PCB面积,却能提供强大的电压箝位功能。无论是作为电压基准源确保ADC采样的准确性,还是在电源输入端作为瞬态电压抑制器(TVS)吸收意外浪涌,它都能游刃有余。其宽广的工作温度范围(-65°C至150°C)意味着它能在严苛的工业环境或高速运行的汽车电子中始终保持稳定,让您的产品无惧挑战,从容应对各种复杂场景。
选择BZT52C30-7-F,就是选择了一份经过验证的卓越品质。它来自全球知名的半导体制造商Diodes Incorporated,±7%的紧公差确保了电压输出的高度一致性,而低至80欧姆的动态阻抗则意味着在负载变化时电压依然稳定如山。极低的反向泄漏电流(100nA @ 21V)有效降低了静态功耗,提升了系统能效。当您通过值得信赖的DIODES代理获取这颗芯片时,您获得的不仅是产品本身,更是完整的供应链保障和技术支持,让您的项目从设计到量产一路畅通。它用微小的身躯,承载起系统稳定的大任,是工程师在追求可靠性与性价比平衡时不容错过的明智之选。
- 型号:BZT52C30-7-F
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOD-123
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- 描述:DIODE ZENER 30V 500MW SOD123
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30 V
- 容差:±7%
- 功率 - 最大值:500 mW
- 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 21 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
- 工作温度:-65°C ~ 150°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SOD-123
- 供应商器件封装:SOD-123
- BZT52C30-7-F的官网价格:1:$0.21000|3000:$0.04127,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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