




BZT52C6V8TQ-7-F
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:SOD-523
- 技术参数:DIODE ZENER 6.8V 300MW SOD523
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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BZT52C6V8TQ-7-F参数详情:
在追求极致稳定性的电路设计中,您是否曾为电压的微小波动而烦恼?当核心元器件需要一个坚如磐石的6.8V参考电压时,选择一款精准可靠的齐纳二极管至关重要。今天,我们为您带来一款在微小封装内蕴藏强大性能的解决方案BZT52C6V8TQ-7-F。它不仅仅是一个保护元件,更是您电路系统稳定运行的“定海神针”,以其卓越的精准度和出色的稳定性,为您的产品注入无可挑剔的可靠性基因。
想象一下,在您精巧的便携式设备内部,空间寸土寸金,但保护与稳压的需求却丝毫不能妥协。BZT52C6V8TQ-7-F正是为此而生。它采用超紧凑的SOD-523封装,面积微小,却能提供高达300mW的功率处理能力,轻松应对各种瞬态电压冲击。无论是智能手机的电源管理模块、蓝牙耳机的充电保护电路,还是各类IoT传感器节点的精密供电部分,它都能默默守护,确保6.8V电压基准的绝对纯净与稳定。其低至15欧姆的最大动态阻抗,意味着在负载变化时,输出电压依然能保持平稳,让您的信号处理更精准,系统运行更流畅。
为什么众多工程师在需要6.8V稳压方案时,会毫不犹豫地选择它?答案在于其背后Diodes Incorporated深厚的工艺底蕴与严格的质量控制。这款芯片在-65°C至150°C的极端温度范围内均能稳定工作,展现了惊人的环境适应性。±5.88%的严格容差,确保了每一颗芯片都具备高度一致的性能,让您的批量生产良率得到有力保障。极低的反向漏电流(仅2A @ 4V)意味着更低的静态功耗,这对于追求长续航的电池供电设备来说,无疑是巨大的优势。当您需要稳定、高效、省心的齐纳二极管解决方案时,选择BZT52C6V8TQ-7-F,就是选择了一份安心与卓越。为了确保您能便捷地获得这款优质芯片及其全系列产品支持,我们推荐您通过专业的DIODES芯片代理进行采购,享受从选型到供应的全方位服务。
- 型号:BZT52C6V8TQ-7-F
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOD-523
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- 描述:DIODE ZENER 6.8V 300MW SOD523
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V
- 容差:±5.88%
- 功率 - 最大值:300 mW
- 阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 A @ 4 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SC-79,SOD-523
- 供应商器件封装:SOD-523
- BZT52C6V8TQ-7-F的官网价格:1:$0.25000|3000:$0.05070,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















