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BZT52HC4V7WF-7

  • 制造厂商:DIODES(美台半导体)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:SOD-123F
  • 技术参数:DIODE ZENER 4.7V 375MW SOD123F
  • (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

BZT52HC4V7WF-7参数详情:

在追求极致稳定性的电路设计中,您是否曾为关键节点的电压波动而烦恼?当精密传感器、微处理器内核或通信模块需要一个坚如磐石的4.7V参考电压时,选择一款性能卓越的齐纳二极管至关重要。今天,我们向您隆重推荐来自Diodes Incorporated的明星产品BZT52HC4V7WF-7,它正是为终结电压不确定性而生,为您的设计注入前所未有的可靠性。

想象一下,在您的便携式医疗设备中,监测生命体征的传感器需要极其稳定的偏置电压;在工业自动化控制板的复杂环境里,核心逻辑电路的供电必须纹丝不动;甚至在您手中的智能穿戴设备里,蓝牙模块的稳定运行也离不开一个干净的电压基准。BZT52HC4V7WF-7正是这些场景中的“定海神针”。其精准的4.7V齐纳电压(容差仅±6.38%),配合仅78欧姆的最大动态阻抗,意味着即使在负载变化时,它也能牢牢锁住电压,将波动抑制到最低。高达375mW的功率处理能力和宽达-65°C至150°C的工作温度范围,让它无惧严苛环境,从冰天雪地到炎炎夏日,从消费电子到汽车电子,都能稳定输出。

为何众多工程师在需要4.7V稳压方案时,会不约而同地选择BZT52HC4V7WF-7?答案在于它带来的综合价值远超一个简单的元件。它采用紧凑的SOD-123F表面贴装封装,为您宝贵的PCB空间减负,让设计更纤薄、更集成。其极低的反向泄漏电流(仅3A @ 2V)和正向压降(900mV @ 10mA),有效提升了系统能效,特别适合电池供电的物联网设备,延长续航时间。选择它,就是选择了一份由全球知名半导体制造商Diodes Incorporated提供的品质保证。为了确保您能获得稳定、正品的货源和有力的技术支持,我们强烈建议您通过官方授权的DIODES一级代理进行采购。让BZT52HC4V7WF-7成为您下一个成功项目的可靠基石,见证稳定电压带来的卓越性能。

  • 型号:BZT52HC4V7WF-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOD-123F
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 4.7V 375MW SOD123F
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):4.7 V
  • 容差:±6.38%
  • 功率 - 最大值:375 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):78 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 2 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOD-123F
  • 供应商器件封装:SOD-123F
  • BZT52HC4V7WF-7的官网价格:1:$0.35000|3000:$0.07268,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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