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BZT52HC8V2WF-7

  • 制造厂商:DIODES(美台半导体)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:SOD-123F
  • 技术参数:DIODE ZENER 8.2V 375MW SOD123F
  • (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

BZT52HC8V2WF-7参数详情:

在追求极致稳定性的电路设计中,您是否曾为电压波动带来的不确定性而烦恼?当关键信号需要精准的电压基准,或是敏感元件亟需可靠的过压保护时,一颗性能卓越的齐纳二极管就是您电路中的“定海神针”。今天,我们向您隆重推荐来自Diodes Incorporated的明星产品BZT52HC8V2WF-7,它将以其8.2V的精准稳压能力和出色的可靠性,为您的设计注入强大信心。

想象一下,在紧凑的物联网设备主板、便携式消费电子产品的电源管理模块,或是汽车电子的控制单元中,空间极其宝贵,性能却不容妥协。BZT52HC8V2WF-7正是为此而生。它采用微小的SOD-123F封装,占地面积小,却能提供高达375mW的功率处理能力,轻松应对各种紧凑型设计挑战。其±6.1%的严格容差,确保了8.2V稳压值的精准与一致,让您的电压基准或钳位保护动作点始终稳定可靠。更令人印象深刻的是其宽广的工作温度范围(-65°C至150°C),无论是严寒还是酷热的环境,它都能稳定工作,保障设备全天候运行无忧。

选择BZT52HC8V2WF-7,就是选择了一份从容与高效。它极低的反向泄漏电流(仅700nA @ 5V)意味着更低的静态功耗,有助于延长电池供电设备的续航时间。同时,其低至10欧姆的最大动态阻抗,使得在负载变化时输出电压更加稳定,有效提升了整体电路的性能。这颗芯片的价值不仅在于其优异的参数,更在于它背后Diodes Incorporated强大的技术底蕴和品质保证。为了确保您能获得原装正品和及时的技术支持,我们强烈建议您通过官方DIODES授权代理进行采购,这将是您项目成功、产品可靠的有力保障。让BZT52HC8V2WF-7成为您下一个精彩设计的可靠基石,共同创造更稳定、更高效的电子世界。

  • 型号:BZT52HC8V2WF-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOD-123F
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 8.2V 375MW SOD123F
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2 V
  • 容差:±6.1%
  • 功率 - 最大值:375 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:700 nA @ 5 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOD-123F
  • 供应商器件封装:SOD-123F
  • BZT52HC8V2WF-7的官网价格:1:$0.35000|3000:$0.07268,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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