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BZX84C11-7-F供应商
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BZX84C11-7-F
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:SOT-23-3
- 技术参数:DIODE ZENER 11V 300MW SOT23-3
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
BZX84C11-7-F参数详情:
在电子设计的精密世界里,您是否曾为寻找一款稳定可靠、性能卓越的电压基准或保护元件而反复权衡?今天,我们为您带来一个经过市场验证的出色答案BZX84C11-7-F。这款来自Diodes Incorporated的11V齐纳二极管,以其±5%的精准容差和高达300mW的功率处理能力,正成为工程师们构建稳健电路的首选基石。它不仅仅是一个元件,更是您产品稳定性和可靠性的坚实守护者。
想象一下,在您的便携式设备中,需要为敏感的微处理器或传感器提供一个稳定的参考电压;或者在电源输入端,需要一道可靠的屏障来吸收意外的电压尖峰,保护后续昂贵的核心芯片。BZX84C11-7-F正是为此而生。其紧凑的SOT-23-3封装,完美适配高密度的现代PCB布局,从消费电子到工业控制,从通信模块到汽车电子,它都能轻松融入,默默无闻地提供着至关重要的电压钳位与稳压功能。其宽广的-65°C至150°C工作温度范围,意味着无论您的设备身处严寒还是酷热,它都能稳定如一,确保系统全天候可靠运行。
选择BZX84C11-7-F,就是选择了一份省心与高效。它极低的反向泄漏电流(仅100nA @ 8V)意味着更低的静态功耗,有助于延长电池续航。其20欧姆的最大动态阻抗确保了出色的稳压性能,即使在负载变化时也能维持电压平稳。当您需要可靠的供应链支持时,通过专业的DIODES芯片代理,您可以轻松获得正品保障和及时的技术支持,让您的项目从设计到量产一路畅通。这款有源状态的成熟产品,已经过无数应用的考验,是您规避设计风险、加速产品上市进程的明智之选。
- 型号:BZX84C11-7-F
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
- 描述:DIODE ZENER 11V 300MW SOT23-3
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):11 V
- 容差:±5%
- 功率 - 最大值:300 mW
- 阻抗(最大值)(Zzt):20 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- BZX84C11-7-F的官网价格:1:$0.20000|3000:$0.03903,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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