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BZX84C12S-7-F供应商
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BZX84C12S-7-F
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 齐纳二极管阵列,封装:SOT-363
- 技术参数:DIODE ZENER ARRAY 12V SOT-363
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
BZX84C12S-7-F参数详情:
在追求极致稳定性的电子设计中,您是否曾为电压波动带来的系统风险而困扰?当关键电路需要精准的12V基准或可靠保护时,一颗性能卓越的齐纳二极管就是您最坚实的防线。今天,我们向您隆重推荐来自Diodes Incorporated的明星产品BZX84C7-F。它不仅仅是一个元件,更是您提升产品可靠性、简化电路设计的智慧之选。凭借其±6%的精准容差和仅25欧姆的低动态阻抗,它能将12V电压牢牢锁定,有效吸收浪涌和瞬态过压,确保后级敏感器件在复杂电气环境中安然无恙。
想象一下,在您的便携式设备、智能传感器模块或精密的电源管理单元中,空间何其宝贵。BZX84C12S-7-F以其微小的SOT-363封装,完美解决了高密度布板的难题。它集成了两个独立的12V齐纳二极管于一身,相当于用一个元件的空间实现了双重保护或基准功能,让您的PCB布局更加灵活高效。无论是用于电压钳位、基准电压源,还是作为简单的过压保护器件,它都能在-65°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作,从容应对严寒酷暑的挑战,让您的产品适应更严苛的应用环境。
选择BZX84C12S-7-F,就是选择了一份省心与可靠。其200mW的功率处理能力足以应对大多数低功耗场景的需求,而低至100nA@8V的反向泄漏电流则意味着更低的静态功耗,这对于电池供电的物联网设备而言至关重要。它让您的设计告别复杂的外围电路,用最简洁的方案实现最核心的稳压与保护功能。如果您正在寻找一个值得信赖的长期合作伙伴,我们作为专业的DIODES一级代理,不仅能为您提供原装正品的BZX84C12S-7-F,更能带来全面的技术支持与稳定的供货保障。让我们携手,用这颗精密的“电压卫士”,为您下一个成功产品注入稳定可靠的基因。
- 型号:BZX84C12S-7-F
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-363
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 齐纳二极管阵列
- 描述:DIODE ZENER ARRAY 12V SOT-363
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 配置:2 个独立式
- 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):12 V
- 容差:±6%
- 功率 - 最大值:200 mW
- 阻抗(最大值)(Zzt):25 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商器件封装:SOT-363
- BZX84C12S-7-F的官网价格:1:$0.39000|3000:$0.08173,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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