




BZX84C13TS-7-F
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 齐纳二极管阵列,封装:SOT-363
- 技术参数:DIODE ZENER ARRAY 13V SOT-363
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BZX84C13TS-7-F参数详情:
在追求极致空间利用与稳定性能的现代电子设计中,您是否曾为电路板上有限的布局空间而烦恼?当您需要在紧凑的模块中实现多重电压的精准箝位与保护时,BZX84C13TS-7-F的出现,正是为应对这一挑战而生。这款来自Diodes Incorporated的齐纳二极管阵列,以其微型化的SOT-363封装,将三个独立的13V稳压单元集成于方寸之间,不仅大幅节省了宝贵的PCB面积,更以±6%的精密容差和高达200mW的功率处理能力,为您的设计注入前所未有的可靠性与效率。
想象一下,在便携式消费电子、物联网传感器节点或精密的电源管理模块中,空间往往是决定产品形态与功能的关键。BZX84C13TS-7-F正是这类应用的理想伴侣。其三个独立通道的设计,允许工程师在单颗芯片上同时为多个关键电路节点提供过压保护或电压参考,无论是保护敏感的MCU I/O口,还是为低功耗射频模块提供稳定的偏置电压,它都能游刃有余。其宽广的-65°C至150°C工作温度范围,确保了从极寒户外设备到高温工业环境下的稳定运行,让您的产品无惧严苛挑战。当您需要可靠且高效的齐纳解决方案时,选择一家专业的DIODES代理商至关重要,他们能为您提供正品保障与全面的技术支持。
选择BZX84C13TS-7-F,意味着您选择了一种更智能的工程哲学。它不仅仅是一个元件,更是一个提升系统集成度、增强可靠性的战略选择。相较于使用多个分立齐纳二极管,它简化了物料清单(BOM),优化了生产贴装流程,从而降低了整体系统成本与复杂度。其仅30欧姆的最大动态阻抗和低至100nA的反向漏电流,意味着它在提供坚固保护的同时,对系统功耗的影响微乎其微。尽管该型号已进入停产状态,但其成熟的设计、卓越的性能以及在众多经典应用中的验证,使其成为特定升级项目或长期稳定供应需求下的一个值得信赖的选项。让BZX84C13TS-7-F成为您下一款紧凑、高效、可靠电子产品的隐形守护者。
- 型号:BZX84C13TS-7-F
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-363
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 齐纳二极管阵列
- 描述:DIODE ZENER ARRAY 13V SOT-363
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 配置:3 个独立式
- 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):13 V
- 容差:±6%
- 功率 - 最大值:200 mW
- 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 8 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商器件封装:SOT-363
- BZX84C13TS-7-F的官网价格:3000:$0.08488,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















