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BZX84C33-7-F

  • 制造厂商:DIODES(美台半导体)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:SOT-23-3
  • 技术参数:DIODE ZENER 33V 300MW SOT23-3
  • (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

BZX84C33-7-F参数详情:

在追求极致稳定性的电子设计中,您是否曾为电压波动带来的系统风险而困扰?当精密电路遭遇意外浪涌,如何确保关键元件安然无恙?今天,我们为您带来一款在微小封装内蕴藏强大保护能力的解决方案BZX84C33-7-F。这颗来自Diodes Incorporated的33V齐纳二极管,正是您电路设计中那枚不可或缺的“定海神针”,以300mW的稳健功率和±6%的精准容差,为您的系统构建起第一道坚固防线。

想象一下,在便携式设备的电源管理模块中,电池电压的微小波动都可能影响处理器性能;在工业传感器的信号调理电路中,环境干扰可能扭曲关键数据。BZX84C33-7-F正是为此而生。它能在电压超过33V时迅速导通,将多余能量安全分流,确保后端敏感电路始终工作在安全电压窗口内。其仅80Ω的最大动态阻抗意味着即使在钳位状态下,它也能保持极低的电压变化,让您的ADC采样、基准电压源或MOSFET栅极保护获得前所未有的稳定性。从-65°C到150°C的宽广工作温度范围,更让它能从容应对户外设备、汽车电子或工业自动化等严苛环境挑战。

选择BZX84C33-7-F,您选择的不仅是一个元件,更是一份可靠性的承诺。SOT-23-3的超紧凑封装让它能在空间受限的现代PCB布局中游刃有余,表面贴装工艺则大幅提升生产效率。相较于传统方案,它仅100nA@23.1V的超低反向泄漏电流,显著降低了待机功耗,为电池供电设备延长续航时间。当您需要稳定可靠的齐纳二极管解决方案时,通过专业的DIODES代理商获取这颗芯片,意味着您将获得原厂品质保障、完整的技术支持以及稳定的供货渠道。让BZX84C33-7-F成为您下一个设计中的隐形守护者,用极致的电压精度和稳健性能,为产品竞争力注入强大信心。

  • 型号:BZX84C33-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 33V 300MW SOT23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):33 V
  • 容差:±6%
  • 功率 - 最大值:300 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 23.1 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • BZX84C33-7-F的官网价格:1:$0.19000|3000:$0.03739,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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