




BZX84C3V3S-7-F
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 齐纳二极管阵列,封装:SOT-363
- 技术参数:DIODE ZENER ARRAY 3.3V SOT-363
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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BZX84C3V3S-7-F参数详情:
在追求极致稳定性的电路设计中,您是否曾为关键节点的电压波动而烦恼?当精密信号需要坚如磐石的3.3V基准,或是敏感IC需要可靠的保护屏障时,一个微小的电压偏差就可能导致性能下降甚至系统失效。今天,我们为您带来的BZX84C3V3S-7-F,正是为解决这一核心痛点而生的精密齐纳二极管阵列。它不仅仅是一个元件,更是您电路稳定性的“定海神针”,以±6%的严格容差和仅95欧姆的低动态阻抗,将3.3V基准电压牢牢锁定,为您的设计注入前所未有的信心。
想象一下,在紧凑的便携式设备内部,空间寸土寸金,而功能却日益复杂。BZX84C3V3S-7-F以其精巧的SOT-363封装和表面贴装设计,完美适应高密度PCB布局。无论是为微处理器、传感器还是射频模块提供精准的电压箝位与稳压,它都能游刃有余。其宽达-65°C至150°C的工作温度范围,意味着从严寒户外到高温机箱,它都能持续稳定工作,保障您的产品在各种严苛环境下表现如一。这正是Diodes Incorporated深厚技术积淀的体现,选择可靠的DIODES授权代理,您获得的不仅是正品保障,更是从选型到应用的全方位技术支持。
为何众多工程师在众多选项中独钟于此?答案在于其卓越的价值整合。它集成了两个独立的齐纳二极管,在单颗芯片上实现了双路保护或基准功能,不仅节省了宝贵的板级空间,更简化了物料管理和生产流程。200mW的功率处理能力足以应对大多数低功耗场景的需求,而低至5A的反向泄漏电流则确保了其在待机或电池供电应用中的高效节能。从消费电子到工业控制,从通信接口到汽车电子辅助系统,BZX84C3V3S-7-F以其可靠、紧凑、高效的特质,成为提升产品整体可靠性和市场竞争力的秘密武器。选择它,就是选择了一份让设计更稳健、让生产更顺畅、让终端用户体验更完美的承诺。
- 型号:BZX84C3V3S-7-F
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-363
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 齐纳二极管阵列
- 描述:DIODE ZENER ARRAY 3.3V SOT-363
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 配置:2 个独立式
- 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):3.3 V
- 容差:±6%
- 功率 - 最大值:200 mW
- 阻抗(最大值)(Zzt):95 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 A @ 1 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商器件封装:SOT-363
- BZX84C3V3S-7-F的官网价格:1:$0.46000|3000:$0.10069,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















