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D12V0H1U2LP-7B

  • 制造厂商:DIODES(美台半导体)
  • 类别封装:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管,封装:X1-DFN1006-2
  • 技术参数:TVS DIODE 12VWM 23V X1DFN10062
  • (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

D12V0H1U2LP-7B参数详情:

在您的下一个设计中,是否曾因一个微小的静电脉冲或电压浪涌而导致整个系统宕机?数据丢失、性能不稳、甚至硬件损坏这些看似偶然的故障背后,往往缺少一道坚固的防线。今天,我们为您带来的D12V0H1U2LP-7B,正是这样一位沉默而强大的电路守护者,它将以极致的紧凑与强悍的性能,彻底改写您对电路保护的认知。

想象一下,在那些对空间锱铢必较的便携设备、可穿戴设备或高密度电路板中,每一平方毫米都价值连城。这颗采用先进0402(1006公制)超小型封装的TVS二极管,几乎不占用任何宝贵空间,却能提供高达300W的峰值脉冲功率吸收能力。当高达13A的瞬态浪涌电流(8/20s波形)来袭时,它能迅速响应,将威胁电压牢牢钳制在23V以下,确保后方精密芯片的绝对安全。其12V的反向断态电压与13.3V的最小击穿电压,为您的12V线路提供了精准而可靠的门槛,既不会误动作干扰正常运作,又能在危险来临的瞬间挺身而出。

从智能家居的传感器接口、移动设备的USB端口,到工业控制中的通信线路,D12V0H1U2LP-7B的应用场景无处不在。它宽达-65°C至150°C的工作结温范围,让它无惧严寒酷暑,在各类严苛环境中稳定服役。极低的80pF@1MHz电容值,意味着它对高速数据信号的完整性影响微乎其微,完美保护信号线的同时,绝不拖慢您系统的速度。选择它,不仅仅是选择了一个元件,更是为您的产品选择了一份从容应对未知电气风险的保险,一份提升终端用户可靠体验的承诺。当您需要稳定可靠的供应与技术支持时,专业的DIODES芯片代理将是您值得信赖的伙伴。

为何众多工程师在众多保护方案中独独青睐于此?答案在于其无可比拟的价值密度。它将Diodes Incorporated顶尖的齐纳二极管技术与微型化封装工艺完美结合,在“几乎看不见”的尺寸内,实现了不妥协的保护性能。这直接转化为您产品更小的体积、更轻的重量、更优的成本控制以及更强的市场竞争力。无需复杂的外围电路,一颗芯片即筑起高墙,让您的设计从此告别脆弱的烦恼,专注于实现更伟大的创新。这就是D12V0H1U2LP-7B,您电路系统中那位虽小而不可或缺的超级英雄。

  • 型号:D12V0H1U2LP-7B
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:X1-DFN1006-2
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 12VWM 23V X1DFN10062
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):12V(最大)
  • 电压 - 击穿(最小值):13.3V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):23V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):13A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:300W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:80pF @ 1MHz
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:0402(1006 公制)
  • 供应商器件封装:X1-DFN1006-2
  • D12V0H1U2LP-7B的官网价格:1:$0.35000|10000:$0.06076,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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