




D5V0S1UN2LP1610-7
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管,封装:U-DFN1610-2(B 类)
- 技术参数:TVS DIODE 5VWM 7.4V UDFN16102
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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D5V0S1UN2LP1610-7参数详情:
想象一下,您的精密电子设备正平稳运行,突然遭遇一次意外的电压浪涌这可能是雷击感应、负载切换,甚至是静电放电带来的瞬间冲击。这种微秒级的威胁,足以让核心电路受损,导致数据丢失、功能失常,甚至昂贵的硬件报废。如何为您的设计构筑一道既坚固又敏捷的“电子护城河”?答案就藏在D5V0S1UN2LP1610-7这颗卓越的瞬态电压抑制(TVS)二极管之中。
它不仅仅是一个保护元件,更是您产品可靠性的基石。采用先进的齐纳技术,其核心价值在于以纳秒级的响应速度,将具有破坏性的高压尖峰瞬间钳位至安全的7.4V以下,为后级敏感的IC提供坚如磐石的守护。高达120A(8/20s)的峰值脉冲电流处理能力,意味着它能轻松吸收绝大多数日常环境中遇到的浪涌能量,让您的设计从容应对各种电气噪声的挑战。而其超低的390pF典型电容值,确保了在高速数据线路(如USB、HDMI、以太网)上应用时,不会对信号完整性造成任何可感知的劣化,真正实现了保护与性能的完美平衡。
这种全方位的保护能力,让D5V0S1UN2LP1610-7的应用场景变得无比宽广。从您口袋里的智能手机、手腕上的智能穿戴设备,到办公室的笔记本电脑、路由器,再到工业现场的传感器、通信模块,任何使用5V供电或具有5V信号接口的电子产品,都是它大显身手的舞台。尤其是在空间极度受限的便携式和物联网设备中,其微小的U-DFN1610-2封装(0603公制)成为了工程师的福音,能以最小的PCB面积占用,提供最高等级的保护密度,完美契合现代电子产品小型化、高集成的设计趋势。
那么,在众多保护器件中,为何要选择它?首先,它代表了极致的可靠性。工作温度范围宽达-55°C至150°C,无论是严寒的户外环境还是设备内部的高温工况,它都能稳定工作,保障产品全生命周期的安全。其次,它带来了设计上的简化与成本优化。一颗芯片解决浪涌防护问题,减少了外围电路复杂度,提高了量产一致性,并最终降低了系统的总拥有成本。当您寻求这样一款高性能、高可靠性的解决方案时,选择值得信赖的DIODES代理合作伙伴至关重要,他们能提供正品保障、技术支持和灵活的供应链服务,让您的创新之旅毫无后顾之忧。选择D5V0S1UN2LP1610-7,就是为您的产品选择了一份从容应对未知风险的自信与保障。
- 型号:D5V0S1UN2LP1610-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:U-DFN1610-2(B 类)
- 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
- 描述:TVS DIODE 5VWM 7.4V UDFN16102
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 类型:齐纳
- 单向通道:1
- 双向通道:-
- 电压 - 反向断态(典型值):5V(最大)
- 电压 - 击穿(最小值):5.1V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):7.4V(典型值)
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):120A(8/20s)
- 功率 - 峰值脉冲:-
- 电源线路保护:无
- 应用:通用
- 不同频率时电容:390pF @ 1MHz
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:0603(1610 公制)
- 供应商器件封装:U-DFN1610-2(B 类)
- D5V0S1UN2LP1610-7的官网价格:1:$0.50000|10000:$0.09319,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















