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DDTB122JC-7-F

  • 制造厂商:DIODES(美台半导体)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管,封装:SOT-23-3
  • 技术参数:TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
  • (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

DDTB122JC-7-F参数详情:

在追求极致效率的电子设计领域,您是否还在为电路中的分立元件过多、布局复杂而烦恼?想象一下,一颗微小的芯片,集成了精准的偏置网络,能直接替换多个分立电阻和晶体管,让您的PCB布局瞬间清爽,性能却更加稳定可靠。这正是DDTB122JC-7-F为您带来的核心价值。作为Diodes Incorporated精心打造的一款预偏置PNP晶体管,它不仅仅是一个元件,更是您简化设计、提升产品可靠性的智能解决方案。

这颗芯片的强大之处,在于其内置的精密电阻网络。它内部集成了220欧姆的基极电阻和4.7千欧的发射极电阻,这意味着您无需再为外部偏置电路的计算和选型耗费精力,也彻底避免了因分立电阻精度或温漂带来的性能波动。其高达50V的集射极击穿电压和500mA的连续集电极电流能力,赋予了它出色的驱动和开关性能,无论是处理信号还是控制小型负载,都游刃有余。更令人印象深刻的是,它在50mA电流、5V电压下仍能保持最低47倍的直流电流增益,同时饱和压降极低,这确保了在高频开关应用(跃迁频率达200MHz)中依然能保持高效与低损耗,将宝贵的200mW功率用在刀刃上。

这种高度集成与卓越性能的结合,让DDTB122JC-7-F在众多应用场景中大放异彩。当您设计需要精密信号放大或处理的消费类电子产品时,它能提供稳定的线性区域;当您的物联网设备需要一个高效、可靠的小功率开关来控制传感器或指示灯时,它的低饱和压降意味着更少的能量浪费和更长的电池寿命;在工业控制模块中,其紧凑的SOT-23-3表面贴装封装和宽电压范围,能帮助您在有限的空间内构建出坚固耐用的电路。选择它,就是选择了一种化繁为简的设计哲学,让工程师能将更多创造力聚焦于系统核心功能的创新。

那么,为什么您的下一个项目应该毫不犹豫地选择DDTB122JC-7-F呢?答案在于它所带来的综合价值提升。它显著减少了物料清单(BOM)的条目,简化了采购与库存管理;它优化了PCB布局,节省了宝贵的板面空间,为产品小型化铺平道路;最重要的是,它提升了电路的一致性与生产良率,因为内置的匹配电阻消除了分立元件带来的公差累积问题。如果您正在寻找一个值得信赖的供应渠道,专业的DIODES中国代理能够为您提供稳定的货源、全面的技术支持与快捷的服务,确保您的创新想法能够顺畅地转化为成功的产品。让DDTB122JC-7-F成为您设计中的可靠基石,开启高效、简洁的新一代电子设计之旅。

  • 型号:DDTB122JC-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
  • 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
  • 包含电阻器:R1 和 R2
  • 电阻器 - 基极 (R1):220 Ohms
  • 电阻器 - 发射极 (R2):4.7 kOhms
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):47 @ 50mA,5V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):500nA
  • 频率 - 跃迁:200 MHz
  • 功率 - 最大值:200 mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • DDTB122JC-7-F的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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