DDTD113EC-7-F

在追求极致紧凑与高效能的设计中，工程师们是否常常为电路板上宝贵的空间和复杂的偏置电路而烦恼？现在，一个集成了精密电阻的解决方案正静待您的发现DDTD113EC-7-F，这颗来自Diodes Incorporated的预偏置NPN晶体管，正是为简化您的设计、释放空间潜力而生。它不仅仅是一个晶体管，更是一个经过精心调校的“即插即用”信号放大与开关模块，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借更可靠的性能和更精简的BOM脱颖而出。

想象一下，在那些对空间极其苛刻的便携式设备、智能传感器模块或高密度通信板卡中，每一平方毫米都价值连城。DDTD113EC-7-F以其微小的SOT-23-3封装，内置了精准的1kΩ基极和发射极电阻，彻底省去了外部分立电阻的布局与焊接。这意味着，您可以直接用它来驱动LED、管理负载开关或进行小信号放大，而无需再为额外的偏置电路耗费心神与板面。其高达50V的耐压和500mA的集电极电流能力，足以轻松应对消费电子、工业控制乃至汽车电子中的多种中低压场景，为您的设计注入强劲而稳定的驱动力。

选择DDTD113EC-7-F，就是选择了一份省心与高效。它极低的Vce饱和压降（仅300mV）意味着在开关应用中更小的功率损耗和更高的能效，直接转化为设备更长的续航或更低的发热。同时，其优异的电流增益和200MHz的过渡频率，确保了信号处理的快速与保真。从原型设计到量产，这颗芯片都能大幅缩短您的开发周期，降低综合成本。若您正在寻找稳定可靠的供货渠道，专业的DIODES代理将是您坚实的后盾，确保这颗高效能芯片能顺畅地集成到您的每一个创新产品中，助您快人一步，赢得市场先机。

• 型号:DDTD113EC-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单，预偏置双极晶体管
• 描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 晶体管类型:NPN - 预偏压
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:500 mA
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:50 V
• 包含电阻器:R1 和 R2
• 电阻器 - 基极 (R1):1 kOhms
• 电阻器 - 发射极 (R2):1 kOhms
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:33 @ 50mA，5V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA
• 频率 - 跃迁:200 MHz
• 功率 - 最大值:200 mW
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• DDTD113EC-7-F的官网价格：1:$0.30000|3000:$0.06239，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。