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DDTD114TC-7-F供应商
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DDTD114TC-7-F
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管,封装:SOT-23-3
- 技术参数:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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DDTD114TC-7-F参数详情:
在追求极致紧凑与高效能的设计中,工程师们是否常常面临分立元件布局复杂、性能一致性难以保证的挑战?今天,我们为您带来一个集成化的完美解决方案DDTD114TC-7-F。这颗来自Diodes Incorporated的预偏置晶体管,将传统需要多个分立电阻和晶体管才能实现的功能,精巧地集成于微小的SOT-23-3封装之内,不仅释放了宝贵的PCB空间,更将电路设计的复杂度和不确定性降至最低。
想象一下,在您的便携式设备、智能传感器模块或消费类电子的信号放大与开关电路中,DDTD114TC-7-F正以其卓越的性能默默工作。它高达50V的集射极击穿电压和500mA的集电极电流能力,为电路提供了坚实的可靠性保障;而内置的10 kOhms基极电阻,意味着您无需再为外部偏置电路费心,直接简化了您的BOM清单和生产流程。无论是驱动小型继电器、LED阵列,还是作为微控制器的接口缓冲,它都能确保信号清晰、响应迅速,让您的产品在激烈的市场竞争中凭借稳定而出色的表现脱颖而出。
选择DDTD114TC-7-F,就是选择了一份省心与高效。其高达100的最小直流电流增益(@50mA, 5V)和低至300mV的饱和压降(@2.5mA, 50mA),直接转化为更低的功耗和更优的能效比,这对于电池供电设备而言价值非凡。同时,高达200MHz的跃迁频率确保了它在高频应用中的敏捷性。从原型设计到量产,这颗芯片的一致性将大幅提升您的生产良率。若您正在寻找可靠且高性能的预偏置晶体管解决方案,通过专业的DIODES中国代理获取DDTD114TC-7-F,无疑是加速项目进程、优化产品性能的明智之举。
- 型号:DDTD114TC-7-F
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
- 描述:TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:NPN - 预偏压
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA
- 电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
- 包含电阻器:仅 R1
- 电阻器 - 基极 (R1):10 kOhms
- 电阻器 - 发射极 (R2):-
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 50mA,5V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁:200 MHz
- 功率 - 最大值:200 mW
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- DDTD114TC-7-F的官网价格:,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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