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DGD2106S8-13

  • 制造厂商:DIODES(美台半导体)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器,封装:8-SO
  • 技术参数:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
  • (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

DGD2106S8-13参数详情:

在追求极致能效与可靠性的电源设计中,您是否曾为栅极驱动的稳定性与效率而困扰?今天,我们为您带来一个经过市场验证的成熟解决方案DGD2106S8-13。这颗来自Diodes Incorporated的经典半桥栅极驱动器,以其高达600V的自举电压能力和卓越的-40°C至150°C宽温工作范围,为工业电机控制、开关电源以及不间断电源(UPS)等严苛应用场景,筑起了一道坚固的性能防线。它不仅仅是一个组件,更是您系统高效、稳定运行的强大心脏。

想象一下,在自动化生产线上,电机需要精准启停与调速;在数据中心里,服务器电源必须毫秒不差地稳定供电。DGD2106S8-13正是为这些关键任务而生。其独立式双通道设计,配合290mA灌入与600mA拉出的强劲峰值驱动电流,能够轻松、快速地驱动IGBT和N沟道MOSFET,显著降低开关损耗,提升整体系统能效。快速的35ns下降时间与100ns上升时间,确保了开关动作干净利落,有效减少电压尖峰和电磁干扰(EMI),让您的产品在复杂电磁环境中依然表现稳健。

选择DGD2106S8-13,意味着您选择了一份历经考验的可靠性。虽然它已不适用于全新设计,但这恰恰证明了其在大量现有成熟方案中的核心地位与卓越价值。对于产品升级、维护或特定领域的持续生产而言,它提供了无可替代的稳定供应与性能保障。其8-SOIC的表面贴装封装,便于集成与生产,而通过值得信赖的DIODES芯片代理,您可以便捷地获取这颗高品质芯片,确保供应链的顺畅与正品保障。让DGD2106S8-13成为您可靠动力系统中的沉默基石,驱动创新,赋能未来。

  • 型号:DGD2106S8-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:8-SO
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
  • 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:独立式
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:IGBT,MOSFET(N 沟道)
  • 电压 - 供电:10V ~ 20V
  • 逻辑电压- VIL,VIH:0.6V,2.5V
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):290mA,600mA
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压 - 最大值(自举):600 V
  • 上升/下降时间(典型值):100ns,35ns
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SO
  • DGD2106S8-13的官网价格:2500:$1.02262,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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