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DGD21814S14-13

  • 制造厂商:DIODES(美台半导体)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器,封装:14-SO
  • 技术参数:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
  • (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

DGD21814S14-13参数详情:

当您的电机驱动或电源转换系统需要在高电压环境下稳定运行,同时还要兼顾快速响应与高效能时,您是否在寻找一个能完美平衡性能与可靠性的解决方案?现在,答案就在眼前。我们隆重推出DGD21814S14-13,这款来自Diodes Incorporated的先进半桥栅极驱动器,正是为应对严苛工业挑战而生的核心引擎。它不仅仅是一个组件,更是您提升系统整体效率、简化设计复杂度的关键所在。

想象一下,在伺服驱动、工业变频器或是高功率开关电源中,精准的开关控制直接决定了系统的能效与稳定性。DGD21814S14-13凭借其高达600V的自举电压能力和卓越的隔离性能,让您在设计高压侧驱动时充满信心,有效避免潜在的击穿风险。其峰值输出电流达到拉出2.3A、灌入1.9A,配合仅40ns和20ns的典型上升/下降时间,意味着它能以闪电般的速度驱动IGBT或MOSFET,显著降低开关损耗,让您的设备运行更凉爽、更持久。无论是面对-40°C的严寒还是150°C的高温结温,它都能稳定工作,这种宽广的工作温度范围确保了产品在极端环境下的出色可靠性。

选择DGD21814S14-13,就是选择了一种高效的设计哲学。它的独立通道与非反相输入逻辑,让电路布局更加清晰直观,大大缩短了您的开发周期。14-SOIC的表面贴装封装,不仅节省了宝贵的PCB空间,也适应了现代化自动生产的需要。从白色家电的电机控制到新能源领域的功率转换,这颗芯片都能无缝融入,成为提升产品竞争力的隐形冠军。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道,我们的DIODES一级代理身份确保您能获得正品保障与及时的技术支持。让DGD21814S14-13成为您下一个成功项目的强大心脏,驱动创新,赢在未来。

  • 型号:DGD21814S14-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:14-SO
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
  • 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:独立式
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:IGBT,MOSFET(N 沟道)
  • 电压 - 供电:10V ~ 20V
  • 逻辑电压- VIL,VIH:0.8V,2.5V
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.9A,2.3A
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压 - 最大值(自举):600 V
  • 上升/下降时间(典型值):40ns,20ns
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:14-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:14-SO
  • DGD21814S14-13的官网价格:1:$2.01000|2500:$0.59216,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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