




DGD21844S14-13
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器,封装:14-SO
- 技术参数:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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DGD21844S14-13参数详情:
在追求极致能效的电力电子世界里,您是否还在为系统开关损耗和可靠性而烦恼?今天,我们为您带来一个颠覆性的解决方案DGD21844S14-13。这款来自Diodes Incorporated的先进半桥栅极驱动器,正是为提升您的电源系统性能而生,它将卓越的开关速度与坚固的驱动能力融为一体,让您的设计瞬间跃升至新的高度。
想象一下,在服务器电源、工业电机驱动或高功率密度充电器中,每一次开关动作都精准而迅捷,系统整体效率因此得到显著提升。DGD21844S14-13正是为此类严苛应用场景量身打造。它高达600V的自举电压能力,为高压侧驱动提供了充足的安全裕度;1.8A拉电流和1.4A灌电流的峰值输出能力,确保能够快速、有力地驱动大功率IGBT或MOSFET,有效减少开关过渡时间,从而直接降低开关损耗。其40ns和20ns的典型上升/下降时间,意味着更快的开关频率成为可能,让您的电源设计在追求高频化、小型化的道路上畅通无阻。
选择DGD21844S14-13,就是选择了一份安心与高效。它宽泛的10V至20V供电电压范围,增强了系统设计的灵活性。其非反相输入逻辑与标准的0.8V/2.5V阈值,确保了与主流控制器的无缝对接,简化了您的设计流程。从-40°C到150°C的广阔结温工作范围,更是赋予了产品无与伦比的环境适应性,无论是严寒还是酷热,都能稳定运行,极大提升了终端产品的可靠性。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时,我们的DIODES中国代理团队随时待命,为您提供从选型到量产的全方位服务。
这颗采用紧凑14-SOIC封装的芯片,集高性能、高可靠性和易用性于一身。它不仅仅是一个驱动组件,更是您释放系统潜能、打造市场竞争优势的关键钥匙。让DGD21844S14-13成为您下一代高效、紧凑、可靠电源设计的核心驱动力,共同开启能效新纪元。
- 型号:DGD21844S14-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:14-SO
- 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:同步
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT,MOSFET(N 沟道)
- 电压 - 供电:10V ~ 20V
- 逻辑电压- VIL,VIH:0.8V,2.5V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.4A,1.8A
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值(自举):600 V
- 上升/下降时间(典型值):40ns,20ns
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:14-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:14-SO
- DGD21844S14-13的官网价格:2500:$1.07716,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















