DGTD120T25S1PT

当您的工业电机驱动系统需要应对1200V高压环境，同时还要保证高效、稳定的功率输出时，您是否在为寻找一颗性能与可靠性兼备的“心脏”而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出DGTD120T25S1PT，这颗来自Diodes Incorporated的场截止型IGBT，正是为挑战严苛应用而生的高性能解决方案。

想象一下，在变频器、UPS不间断电源或电焊机的核心电路中，电流的每一次通断都关乎整个系统的命脉。DGTD120T25S1PT凭借其1200V的超高击穿电压和50A的持续电流能力，如同一位坚不可摧的卫士，轻松抵御高压冲击，确保功率模块稳定运行。其低至2.4V的饱和压降（Vce(on)）意味着更少的导通损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的温升，让您的设备在长时间高负荷下依然保持“冷静”。无论是新能源领域的太阳能逆变器，还是工业自动化中的伺服驱动器，这颗芯片都能无缝融入，成为提升产品竞争力的秘密武器。

选择DGTD120T25S1PT，就是选择了一份安心的保障与卓越的价值。它采用了先进的场截止技术，不仅开关速度快（开/关延迟时间优异），而且开关能量损耗极低，这直接帮助您优化系统的整体能效，降低运营成本。TO-247-3的经典封装提供了出色的散热能力和机械强度，安装简便，兼容性广。从-40°C到175°C的宽工作结温范围，让它无惧严寒酷暑，适应各种恶劣环境，可靠性经得起时间考验。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，请务必联系专业的DIODES芯片代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让DGTD120T25S1PT为您的下一个设计注入强大动力，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:DGTD120T25S1PT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• IGBT 类型:场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，25A
• 功率 - 最大值:348 W
• 开关能量:1.44mJ（导通），550J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:204 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:73ns/269ns
• 测试条件:600V，25A，23 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):100 ns
• 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247
• DGTD120T25S1PT的官网价格：1:$9.09000，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。