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    DGTD65T15H2TF
  • 制造厂商：DIODES
  • 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-220-3 全封装，隔离接片
  • 技术参数：IGBT600V-XITO-220AB
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：DGTD65T15H2TF
  • 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
  • 描述：IGBT600V-XITO-220AB
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：场截止
  • 电压-集射极击穿（最大值）：650V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：30A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：60A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，15A
  • 功率-最大值：48W
  • 开关能量：270J（开），86J（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：61nC
  • 25°C时Td（开/关）值：19ns/128ns
  • 测试条件：400V，15A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：150ns
  • 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-220-3 全封装，隔离接片
  • DGTD65T15H2TF的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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