




DMC2053UVTQ-13
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:TSOT-26
- 技术参数:MOSFET N/P-CH 20V 4.6A TSOT26
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
DMC2053UVTQ-13参数详情:
在追求极致能效的电子设计领域,您是否还在为寻找一款既能简化电路、又能确保高可靠性的功率开关解决方案而烦恼?今天,我们为您带来一个令人振奋的答案DMC2053UVTQ-13。这颗由Diodes Incorporated精心打造的N和P沟道互补型MOSFET阵列,正是为应对现代紧凑型、高性能应用的严苛挑战而生。它不仅仅是一个组件,更是您提升产品竞争力、加速上市进程的得力助手。
想象一下,在汽车电子的核心控制单元、车身模块或是高级驾驶辅助系统的传感器供电电路中,空间极其宝贵,散热条件复杂,而稳定性要求却至高无上。DMC2053UVTQ-13凭借其符合AEC-Q101标准的汽车级品质,从容应对-55°C至150°C的极端工作温度,为您的设计注入无惧环境挑战的可靠性基因。其高达4.6A的连续漏极电流和低至35毫欧的导通电阻,意味着更低的导通损耗和更高的能源转换效率,直接助力延长电池续航,减少系统发热,让您的产品在能效比拼中脱颖而出。
从便携式消费电子到工业自动化设备,再到如今火热的物联网节点,对功率管理芯片的要求正朝着更小、更强、更智能的方向飞速演进。这正是DMC2053UVTQ-13大显身手的舞台。其采用超紧凑的TSOT-26封装,面积微小却功能强大,完美适配高密度PCB布局,为您释放宝贵的板级空间,用于集成更多创新功能。极低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关速度,显著降低开关损耗,让系统响应更迅捷,整体运行更高效。选择它,就是选择了一种面向未来的设计哲学在方寸之间,实现性能与可靠性的双重飞跃。
为何众多领先企业将DMC2053UVTQ-13纳入其核心物料清单?答案在于它提供的综合价值远超单一元件。它集成了互补的N沟道和P沟道MOSFET,简化了电路设计,减少了外围器件数量,不仅降低了BOM成本和装配复杂度,更提升了系统的整体可靠性。面对8V至24V的宽泛工作电压范围,它能灵活适应多种电源架构,提供设计上的巨大自由度。当您需要稳定、优质的货源和技术支持时,通过正规的DIODES授权代理进行采购,是保障供应链安全、获得原厂级技术后盾的明智之选。让DMC2053UVTQ-13成为您下一个爆款产品的“心脏”级功率开关,携手开启高效、可靠的新篇章。
- 型号:DMC2053UVTQ-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:TSOT-26
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 20V 4.6A TSOT26
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:N 和 P 沟道互补型
- FET 功能:-
- 漏源电压(Vdss):20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A(Ta),3.2A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):35 毫欧 @ 5A,4.5V,74 毫欧 @ 3.5A,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):3.6nC @ 4.5V,5.9nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):369pF @ 10V,440pF @ 10V
- 功率 - 最大值:700mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
- 供应商器件封装:TSOT-26
- DMC2053UVTQ-13的官网价格:1:$0.82000|10000:$0.16783,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















