DMN10H120SFG-13

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为散热和空间问题所困扰？想象一下，一颗能够同时兼顾高耐压、低导通损耗和出色热性能的MOSFET，将如何彻底改变您的产品设计。现在，这一切不再是想象，DMN10H120SFG-13正是为此而生的卓越解决方案。

这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其100V的漏源电压和3.8A的连续漏极电流能力，为您提供了坚固可靠的性能基石。其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压下，仅110毫欧的最大值，这意味着在开关过程中，能量损耗被大幅削减，更多的电能被高效转化为有用功，而不是令人头疼的热量。更低的损耗直接带来了更低的温升和更高的系统可靠性，让您的设备在长时间高负荷运行时依然稳定如初。无论是面对工业电机驱动中频繁的启停，还是消费类快充产品里对效率的极致追求，它都能游刃有余。

它的价值远不止于参数表。当您将其应用于DC-DC转换器、负载开关或电机控制电路时，其优异的开关特性（最大栅极电荷仅10.6nC）和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温）便开始大放异彩。这意味着它能够实现更快的开关频率，帮助您缩小磁性元件的体积，从而打造出更轻薄的终端产品。其表面贴装的PowerDI3333-8封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，其优化的封装结构也有助于热量快速散发，简化您的散热设计。选择DIODES代理，您获得的不仅是一颗芯片，更是从技术选型到供应链支持的全方位保障。

那么，为何最终是DMN10H120SFG-13？因为在平衡性能、尺寸与成本的天平上，它找到了那个完美的支点。它用扎实的电气参数回应了工程师对性能的严苛要求，又用精巧的封装满足了市场对产品小型化的无限渴望。它不仅仅是一个电子元器件，更是您提升产品竞争力、赢得市场先机的秘密武器。当效率、尺寸和可靠性成为决胜关键时，它的出现，让您的一切设计挑战都迎刃而解。

• 型号:DMN10H120SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 3.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:549 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN10H120SFG-13的官网价格：1:$1.12000|3000:$0.27662，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。