DMG3401LSN-7

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为如何平衡性能、尺寸与成本而苦恼？想象一下，一款能在紧凑空间内稳定处理3A电流，同时保持超低导通损耗的P沟道MOSFET，将如何为您的产品注入强劲动力？今天，我们为您带来的DMG3401LSN-7，正是这样一款集高性能与高可靠性于一身的卓越解决方案。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、优化系统设计的得力助手。

这款来自Diodes Incorporated的P通道MOSFET，拥有30V的漏源电压和3A的连续漏极电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压下，仅需50毫欧姆。这意味着在负载切换、电源管理或电机驱动等关键应用中，它能显著减少能量损耗，将更多电能转化为有效功，直接提升终端产品的续航与运行效率。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在严苛环境下依然稳定可靠，无论是炎夏的户外设备还是寒冬的工业控制器，都能从容应对。

从便携式设备的负载开关、电池保护电路，到电源分配系统中的极性保护与DC-DC转换器，DMG3401LSN-7的身影无处不在。它小巧的SC-59封装完美适配高密度PCB布局，让您的设计在有限空间内实现更多功能。选择它，就是选择了一种经过市场验证的稳健性能。我们作为值得信赖的DIODES一级代理，不仅能确保您获得原装正品和具有竞争力的价格，更能提供及时的技术支持与供货保障，让您的供应链无忧，全心专注于创新与市场开拓。

最终，当您审视选型清单时，DMG3401LSN-7提供的是一份全面的价值承诺：它以卓越的电气参数为基础，以广泛的应用适应性为延伸，以可靠的品质和供货为后盾。它帮助您打造的，不仅是更高效、更紧凑的电路，更是面向市场更具吸引力的产品。现在就让它成为您下一个成功设计中的核心动力单元吧。

• 型号:DMG3401LSN-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SC-59-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 3A SC59
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1326 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SC-59-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMG3401LSN-7的官网价格：1:$0.49000|3000:$0.10736，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。