DMN60H4D5SK3-13

您是否正在为高电压应用中的开关效率与散热问题而烦恼？当系统需要稳定处理600V级电压时，每一次开关损耗都意味着能源的浪费与可靠性的挑战。现在，让我们为您介绍一款能够完美平衡性能与成本的解决方案DMN60H4D5SK3-13。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的600V耐压能力和高达2.5A的连续漏极电流，为您的高压侧开关应用注入强劲动力。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体能效、简化散热设计的得力助手。

想象一下，在您的工业电源、电机驱动、或是LED照明驱动电路中，DMN60H4D5SK3-13正以其低至4.5欧姆的导通电阻和极低的栅极电荷（仅8.2nC），实现着快速、干净的开关动作。这意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。无论是面对频繁启停的电机控制，还是要求严苛的PFC（功率因数校正）电路，它都能游刃有余，确保系统在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定运行。其TO-252（D-Pak）封装不仅提供了优异的散热性能，其表面贴装形式也完美契合现代自动化生产的需求，让您的生产线高效运转。

选择DMN60H4D5SK3-13，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与极具竞争力的性价比。它继承了Diodes产品一贯的高品质与稳定性，其41W的最大功率耗散能力为您提供了充足的设计余量。当您需要构建高效、紧凑且可靠的功率管理系统时，这颗芯片就是您理想的核心开关元件。我们作为专业的DIODES芯片代理，不仅为您提供这颗性能出色的芯片，更致力于为您提供全面的技术支持和供应链保障，帮助您将创新想法快速、稳妥地转化为成功的产品。让DMN60H4D5SK3-13成为您下一个项目中提升竞争力的秘密武器吧！

• 型号:DMN60H4D5SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:273.5 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:41W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMN60H4D5SK3-13的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。