DMHC3025LSDQ-13

您是否正在为紧凑型电机驱动方案寻找一颗既能节省空间又能保证性能的“全能选手”？想象一下，在消费电子、便携设备或工业控制模块中，一个集成了双N沟道和双P沟道MOSFET的H桥阵列，能以极低的导通电阻和出色的热性能，让您的设计在效率与可靠性上双双跃升。这正是DMHC3025LSDQ-13为您带来的核心价值它不仅仅是一个元件，更是您产品动力系统高效、稳定运行的关键基石。

这颗芯片的卓越之处，在于它将复杂的H桥电路精妙地集成于一个紧凑的8-SOIC封装之中。其30V的漏源电压和高达6A的连续漏极电流能力，为各类有刷直流电机、步进电机或需要双向开关控制的应用提供了坚实的动力基础。更令人印象深刻的是，在10V栅极驱动下，其导通电阻低至25毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了系统的整体能效和长期可靠性。无论是驱动微型打印机、智能家居中的自动门锁，还是便携式医疗设备中的精密传动机构，它都能游刃有余，确保动作精准、响应迅速。

选择DMHC3025LSDQ-13，就是选择了一种更高效、更可靠的设计哲学。它极大地简化了您的PCB布局，减少了外围元件数量，从而降低了整体BOM成本和生产复杂度。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C结温）确保了在苛刻环境下依然稳定工作，为您的产品品质提供了额外保障。当您需要可靠的供应链和技术支持时，我们的DIODES中国代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全程服务。让这颗高度集成、性能优异的MOSFET阵列，成为您下一个创新项目中不可或缺的“动力心脏”，驱动您的产品迈向更高性能与更佳市场表现。

• 型号:DMHC3025LSDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 和 2 P 沟道（全桥）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A，4.2A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590pF @ 15V, 631pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMHC3025LSDQ-13的官网价格：1:$1.52000|2500:$0.40580，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。