DMN15H310SK3-13

当您的汽车电子系统需要在严苛环境下保持稳定高效时，您是否曾为寻找一颗既能承受高电压冲击，又能实现低损耗控制的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。让我们向您隆重介绍DMN15H310SK3-13，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为应对此类挑战而生的卓越解决方案。它不仅通过了严苛的AEC-Q101车规认证，更以150V的漏源电压和8.3A的连续漏极电流，为您的设计注入强劲而可靠的核心动力。

想象一下，在电动汽车的电机驱动单元中，或在车载充电器(OBC)和DC-DC转换器里，每一次高效的功率转换都至关重要。DMN15H310SK3-13凭借其低至310毫欧的导通电阻（在10V Vgs条件下），能显著降低导通损耗，这意味着更少的能量以热量的形式浪费，更高的系统整体效率，以及更长的续航里程。其宽广的工作温度范围（-55°C至155°C）确保它无论是面对冰天雪地还是引擎舱的高温，性能都始终如一。这颗芯片就像一位不知疲倦的卫士，默默守护着汽车电子系统的每一次启停与运行。

选择DMN15H310SK3-13，您选择的不仅仅是一个元器件，更是一份对品质和性能的承诺。它采用成熟的TO-252 (D-Pak)封装，不仅提供了优异的散热能力，其表面贴装形式也完美适配现代自动化生产流程，能帮助您加速产品上市。更低的栅极电荷（仅8.7nC）意味着它能够被快速驱动，实现更高的开关频率，从而让您可以使用更小体积的磁性元件，进一步优化系统尺寸与成本。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的DIODES中国代理团队随时待命，为您从选型到量产的全过程保驾护航。让这颗集高性能、高可靠性与高性价比于一身的车规级MOSFET，成为您下一款明星产品中最值得信赖的“心脏”部件。

• 型号:DMN15H310SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 150V 8.3A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:150 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:310 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:405 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:32W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 155°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• DMN15H310SK3-13的官网价格：1:$1.06000|2500:$0.26462，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。