DMN2028UVT-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？想象一下，一颗集高效、紧凑与可靠于一身的功率开关，将如何彻底改变您的设计格局。现在，答案就在DMN2028UVT-13。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其20V的耐压和高达6.2A的连续漏极电流能力，为您带来前所未有的功率密度与效率平衡。

无论是需要快速响应的负载开关、高频率的DC-DC转换器，还是空间极其宝贵的便携式设备中的电机驱动，DMN2028UVT-13都能游刃有余。其低至24毫欧的导通电阻（在4.5V Vgs条件下），意味着更低的传导损耗和更少的热量产生，让您的系统运行更凉爽、更持久。搭配仅8.3nC的低栅极电荷，它实现了超快的开关速度，显著降低了开关损耗，这对于提升整体电源效率至关重要。其紧凑的TSOT-26封装，完美适配高密度PCB布局，让您在方寸之间释放更大能量。

选择DMN2028UVT-13，不仅仅是选择了一颗高性能MOSFET，更是选择了一种面向未来的设计理念。它宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在严苛环境下的稳定表现，而其优化的驱动电压（2.5V至4.5V）使其与现代低电压逻辑电路无缝对接，简化了驱动设计。当您寻求可靠且高性能的半导体解决方案时，与专业的DIODES芯片代理合作，能确保您获得正品货源、全面的技术支持和优化的供应链服务，让您的产品从设计到量产都畅通无阻。让DMN2028UVT-13成为您下一个爆款产品的强大心脏，开启高效、紧凑的电源管理新纪元。

• 型号:DMN2028UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 6.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:856 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• DMN2028UVT-13的官网价格：10000:$0.10327，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。