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DMN2029USD-13
  • 制造厂商:DIODES
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 技术参数:MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO
  • (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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  • 参数详情:
  • 制造商产品型号:DMN2029USD-13
  • 制造商:Diodes Incorporated
  • 描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:2 N-通道(双)
  • FET功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):5.8A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):25 毫欧 @ 6.5A,4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):18.6nC @ 8V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1171pF @ 10V
  • 功率-最大值:1.2W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • DMN2029USD-13的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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