DMN3016LDN-7

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？想象一下，一颗集双通道、低导通电阻与高电流处理能力于一身的MOSFET，能为您的设计带来怎样的性能飞跃？答案就在DMN3016LDN-7。这款来自Diodes Incorporated的30V双N沟道MOSFET，以其仅20毫欧的超低导通电阻和7.3A的连续漏极电流，为您的高效开关应用铺平了道路，让能量在系统中更顺畅地流动，将损耗降至新低。

无论是需要紧凑布局的DC-DC转换器、负载开关，还是电机驱动与电池保护电路，DMN3016LDN-7都能完美胜任。其逻辑电平门驱动特性（Vgs(th)最大仅2V）意味着它能被微控制器轻松驾驭，大大简化了您的驱动电路设计。在空间至上的便携式设备、消费电子或工业模块中，其8-PowerWDFN的超薄封装不仅节省了宝贵的PCB面积，更提升了散热性能。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重基因。

为何众多工程师在面临关键选型时，会倾向于DMN3016LDN-7？其核心价值在于卓越的性能与封装技术的精妙平衡。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了超快的开关速度，从而减少开关损耗，提升整体系统效率。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）则赋予了它应对严苛环境挑战的底气。要获得这颗性能标杆器件的正品保障与稳定供应，通过正规的DIODES授权代理渠道进行采购是明智之选。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、实现设计意图的可靠伙伴。

• 型号:DMN3016LDN-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3030-8（J 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.3A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.1nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1415pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.1W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerWDFN
• 供应商器件封装:V-DFN3030-8（J 类）
• DMN3016LDN-7的官网价格：1:$0.90000|3000:$0.21490，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。