DMN3900UFA-7B

想象一下，您正在设计一款需要极致空间利用率的便携式设备，每一个平方毫米的PCB面积都弥足珍贵，同时还要保证开关控制的精准与高效。这正是DMN3900UFA-7B大显身手的舞台。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其微型化的X2-DFN0806-3封装，将强大的30V耐压和550mA连续电流承载能力浓缩于方寸之间，为您的紧凑型设计提供了前所未有的灵活性。

无论是智能穿戴设备中的电源路径管理，还是IoT传感器模块的负载开关，甚至是高密度主板上的信号切换，DMN3900UFA-7B都能轻松胜任。它超低的导通电阻（仅760毫欧@4.5V驱动）意味着更少的能量损耗和更长的电池续航，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。而高达150°C的结温工作范围，则赋予了它应对严苛环境与突发热量的强大韧性，确保系统在各种应用场景下都稳定可靠。

选择DMN3900UFA-7B，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一种面向未来的设计哲学。它极低的栅极电荷（0.7nC）和输入电容（42.2pF），使得高速开关成为可能，显著提升了系统的响应速度。从原型验证到批量生产，这颗芯片都能提供一致且卓越的性能表现。如果您正在寻找一个值得信赖的合作伙伴来获取这颗明星产品，专业的DIODES代理商将是您供应链上的坚实后盾，为您提供从选型支持到稳定供货的全方位服务。让DMN3900UFA-7B成为您下一个创新产品的“高效心脏”，驱动无限可能。

• 型号:DMN3900UFA-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN0806-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):550mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:760 毫欧 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:950mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:42.2 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:390mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN0806-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• DMN3900UFA-7B的官网价格：1:$0.57000|10000:$0.10753，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。