




DMP2005UFG-13
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:
- 技术参数:MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
DMP2005UFG-13参数详情:
在追求极致能效的今天,您的电源管理方案是否还在为高损耗和散热难题所困扰?想象一下,一个关键开关元件,能在高达89A的电流下持续稳定工作,同时将导通电阻压降至惊人的4毫欧,这带来的不仅仅是性能的提升,更是整体系统效率的飞跃和热管理成本的显著下降。这正是DMP2005UFG-13为您呈现的现实。
这款来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET,以其20V的漏源电压和超低的Rds(on)特性,天生就是为高电流、高效率场景而生的利器。无论是服务器电源中要求严苛的负载点(POL)转换,还是电动工具、无人机电池管理系统(BMS)中需要快速响应的保护开关,它都能游刃有余。在空间紧凑的Type-C充电器、车载充电器(OBC)或DC-DC转换模块中,其PowerDI3333-8封装实现了功率密度与散热能力的完美平衡,让您的产品设计在性能和体积上都更具竞争力。
选择DMP2005UFG-13,意味着您选择了一种可靠的性能保障。其1.8V的低驱动电压门槛,使其能与现代低压微控制器无缝对接,简化驱动电路设计。极低的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)大幅降低了开关损耗,提升了系统在高频工作下的整体效率,这对于追求轻载高效能的现代电源至关重要。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围,确保了它在各种恶劣环境下都能稳定运行,为您的产品可靠性加上一道坚固的保险。当您寻求高品质的元器件解决方案时,信赖专业的DIODES芯片代理,是获取正品保障与技术支持的关键一步。
归根结底,在激烈的市场竞争中,细节决定成败。一颗优秀的MOSFET,就是那个隐藏在系统之中,却时刻决定着能效天花板、散热设计边际和最终产品可靠性的“无名英雄”。DMP2005UFG-13正是这样一位英雄,它用扎实的参数和卓越的性能,默默支撑起更高效、更紧凑、更可靠的下一代电子设备。让它成为您下一个爆款产品的强大心脏,共同开启能效新纪元。
- 型号:DMP2005UFG-13
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- DMP2005UFG-13的官网价格:1:$1.60000|3000:$0.42159,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















