DMP3007SFG-13

想象一下，当您的电源管理方案需要在紧凑空间内处理高达70A的连续电流，同时保持极低的导通损耗和出色的热稳定性，您会选择怎样的核心器件？这正是DMP3007SFG-13诞生的意义它不仅仅是一颗P沟道MOSFET，更是工程师应对高密度、高效率电源设计的信心之选。在30V的漏源电压下，它能以仅6毫欧的超低导通电阻（10V Vgs时）轻松驾驭大电流路径，将功率损耗降至最低，让每一分电能都转化为有效输出。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是新能源车载充电器，DMP3007SFG-13都能成为系统可靠性的基石。其PowerDI3333封装在提供强大散热能力的同时，极大节省了PCB空间，让您的设计在性能与体积间找到完美平衡。在-55°C至150°C的严苛工作温度范围内，它始终保持稳定表现，即使面对瞬态冲击或持续高负载，也能确保系统长时间稳定运行。选择可靠的DIODES代理商，您获得的不仅是这颗优质芯片，更是从选型支持到供应链保障的全方位服务。

为什么越来越多的领先企业将DMP3007SFG-13纳入其核心物料清单？答案在于它带来的综合价值提升。极低的栅极电荷（64.2nC @10V）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，直接提升系统整体效率。2.8W的功率耗散能力结合优化的热设计，让热管理变得简单高效。当您追求更紧凑的布局、更低的温升、更长的产品寿命时，这颗芯片正是您一直在寻找的解决方案它用实测性能证明，卓越的电气特性与坚固的物理设计可以完美共存，为您下一代产品赋予领先市场的竞争力。

• 型号:DMP3007SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 70A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2826 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMP3007SFG-13的官网价格：1:$1.38000|3000:$0.35328，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。