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DMP4011SPS-13供应商
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DMP4011SPS-13

  • 制造厂商:DIODES(美台半导体)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:PowerDI5060-8
  • 技术参数:MOSFET P-CH 40V PWRDI5060
  • (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

DMP4011SPS-13参数详情:

在追求极致能效与紧凑设计的今天,您的电源管理方案是否还在为功率损耗和空间占用而妥协?现在,答案来了。我们隆重推出DMP4011SPS-13,这颗来自Diodes Incorporated的P沟道功率MOSFET,正是为打破瓶颈、释放潜能而生。它不仅仅是一个电子元件,更是您提升产品竞争力、赢得市场的关键引擎。

想象一下,在您的快充适配器、电机驱动板或DC-DC转换器中,一颗芯片如何同时实现高效率与高可靠性。DMP4011SPS-13凭借其低至11毫欧的导通电阻,能显著降低开关过程中的功率损耗,将更多电能高效转化为有用功,这意味着更低的温升、更长的续航和更冷静的运行。其高达40V的漏源电压和76A(Tc)的连续漏极电流能力,为各种严苛应用提供了坚实的保障,无论是应对瞬间浪涌还是持续高负载,都游刃有余。选择它,就是为您的产品注入了强劲而稳定的心脏。

这款芯片的价值,在具体的应用场景中体现得淋漓尽致。在智能手机快充头里,它能帮助实现更快的充电速度,同时保持小巧的体积和低温;在无人机或电动工具的电机控制电路中,其高效的开关特性确保了更敏捷的响应和更持久的动力输出;在车载充电器或工业电源模块中,宽广的-55°C至150°C工作温度范围,让它无惧严寒酷暑,稳定如一。它的PowerDI5060-8封装专为高功率密度设计,表面贴装工艺让您的PCB布局更加灵活,轻松应对空间受限的挑战。

那么,在众多同类产品中,为何DMP4011SPS-13能脱颖而出?因为它精准地平衡了性能、尺寸与成本。优异的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)参数,意味着它易于驱动,能简化您的驱动电路设计,从而降低整体系统复杂性和成本。其有源的产品状态和成熟的供应链,确保了供应的稳定与及时。当您需要可靠的技术支持和本地化服务时,我们的DIODES中国代理团队随时待命,为您提供从选型到量产的全方位协助。选择DMP4011SPS-13,不仅是选择了一颗高性能芯片,更是选择了一个值得信赖的合作伙伴,共同迈向高效、可靠的未来。

  • 型号:DMP4011SPS-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:PowerDI5060-8
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 40V PWRDI5060
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.7A(Ta),76A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):11 毫欧 @ 9.8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):52 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2747 pF @ 20 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):1.3W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:PowerDI5060-8
  • 封装/外壳:8-PowerTDFN
  • DMP4011SPS-13的官网价格:1:$2.63000|2500:$0.77205,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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