




DMP4013LFG-7
- 制造厂商:DIODES(美台半导体)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:POWERDI3333-8
- 技术参数:MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333
- (专注销售DIODES电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
DMP4013LFG-7参数详情:
在追求极致能效的今天,您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰?想象一下,一个关键元件的微小改进,就能为整个系统带来显著的性能提升和成本优化。这正是DMP4013LFG-7 P沟道MOSFET所致力于实现的目标。它不仅仅是一个开关器件,更是您提升产品竞争力的得力助手。
这颗来自Diodes Incorporated的杰出产品,以其卓越的电气性能,正在重新定义高效电源转换的标准。其低至13毫欧的导通电阻,意味着在10A电流下,它能将导通损耗降至极低水平,让宝贵的电能更多地转化为有效输出,而非无谓的热量。高达40V的漏源电压和10.3A的连续漏极电流能力,赋予了它应对各种严苛负载的从容底气。无论是需要快速响应的负载开关,还是对效率锱铢必较的DC-DC转换器同步整流应用,它都能游刃有余,确保系统运行既稳定又高效。
它的身影活跃于众多前沿应用场景。在便携式设备的电源路径管理中,它能实现干净利落的通断控制,有效延长电池续航;在服务器和通信设备的分布式电源架构里,它助力于高效率的电压转换与分配,提升整体系统能效比;甚至在汽车电子和工业控制领域,其宽泛的工作温度范围(-55°C至150°C)和可靠的性能,也让它成为工程师信赖的选择。选择它,就是为您的产品注入了高效、可靠的基因。
那么,为何DMP4013LFG-7能从众多同类产品中脱颖而出?答案在于其精妙的平衡艺术。它在低导通电阻、快速开关速度与出色的热管理之间取得了完美平衡。PowerDI3333封装不仅节省了宝贵的PCB空间,其优异的散热特性更能确保芯片在持续高负载下稳定工作。更低的栅极电荷意味着驱动更轻松,系统开关频率可以更高,从而允许使用更小的外围磁性元件,进一步优化方案体积与成本。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时,我们的DIODES授权代理渠道将为您提供从选型到量产的全方位服务保障。立即采用DMP4013LFG-7,开启您下一款产品的高效、紧凑、可靠之旅。
- 型号:DMP4013LFG-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:POWERDI3333-8
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.3A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):13 毫欧 @ 10A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):68.6 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3426 pF @ 20 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):1W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:POWERDI3333-8
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- DMP4013LFG-7的官网价格:1:$1.71000|2000:$0.44704,订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















