DMPH6050SFG-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理系统是否还在为散热和空间问题而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出DMPH6050SFG-13，这颗来自Diodes Incorporated的明星MOSFET，以其高达60V的BVDSS和卓越的电流处理能力，正在重新定义中低压功率转换的效能边界。它不仅是一颗芯片，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在您的电动工具中，它能够轻松驾驭瞬间大电流，提供澎湃而稳定的动力输出，让工作效率倍增；在您的服务器电源或工业电源模块里，其出色的热性能与低导通电阻，意味着更低的能量损耗和更小的散热器需求，直接为系统瘦身并延长使用寿命。无论是车载充电器、DC-DC转换器，还是各类电机驱动应用，DMPH6050SFG-13都能无缝融入，以其高达18A（Tc）的连续漏极电流和POWERDI333的紧凑封装，在严苛环境下依然保持稳定可靠的运行，让您的产品在市场中脱颖而出。

选择DMPH6050SFG-13，就是选择了一份来自技术前沿的保障。它代表了Diodes对高品质功率器件的执着追求，其优化的性能参数直接转化为您终端产品更长的续航、更快的响应和更高的可靠性。我们作为值得信赖的DIODES一级代理，不仅确保您能获得稳定、正品的货源支持，更能提供专业的技术选型建议和高效的供应链服务。让这颗高效能的MOSFET成为您下一个成功项目的坚实基石，与我们携手，共同开启高效、可靠的电源管理新篇章。

• 型号:DMPH6050SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.1A（Ta），18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1293 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.2W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:-
• 封装/外壳:-
• DMPH6050SFG-13的官网价格：3000:$0.25139，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。