DMS3016SFG-7

在追求极致能效的电子设计中，您是否曾为寻找一款能在紧凑空间内稳定处理中等功率、同时保持出色热性能的MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来的DMS3016SFG-7，正是为解决此类挑战而生。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其30V的漏源电压和高达7A的连续漏极电流能力，在众多同类产品中脱颖而出，成为紧凑型电源管理和电机驱动应用的理想心脏。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统可靠性、延长产品寿命的关键赋能者。

想象一下，在空间受限的便携式设备、高效的DC-DC转换模块或是需要精准控制的微型电机驱动电路中，DMS3016SFG-7能够大显身手。其采用先进的PowerDI3333-8封装，在极小的占板面积下实现了优异的散热性能，最大功率耗散可达980mW。这意味着您的设计可以更轻薄、更紧凑，而无需牺牲性能或稳定性。无论是用于电池保护电路中的负载开关，还是作为同步整流方案中的关键元件，它都能确保能量高效、低损耗地传递，让您的终端产品运行更冷静、续航更持久。

选择DMS3016SFG-7，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与卓越性能的结合。其低至13毫欧的导通电阻（在10V Vgs条件下），显著降低了导通损耗，直接提升了系统的整体效率。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性使得开关速度更快，开关损耗更低，特别适合高频开关应用。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C结温）确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作。虽然该型号目前已停产，但通过可靠的DIODES授权代理渠道，您依然可以获得经过严格质量把控的库存，为您的经典或特定项目设计提供持续稳定的元件供应，保障生产线的顺畅与产品的品质传承。

• 型号:DMS3016SFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 毫欧 @ 11.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1886 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）:980mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMS3016SFG-7的官网价格：，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。