DMT10H009LFG-7

在追求极致能效的今天，您是否还在为电源转换和电机驱动方案中的功率损耗与散热问题而烦恼？想象一下，一个关键元件就能显著提升整体效率，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。这正是DMT10H009LFG-7诞生的使命它不仅仅是一颗MOSFET，更是您实现高效、紧凑设计的得力引擎。

这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，以其卓越的性能参数，为您打开了高效能设计的新大门。100V的漏源电压和高达50A（Tc）的连续漏极电流能力，赋予了它驱动大功率负载的坚实底气。而其真正的魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压下，仅8.5毫欧的最大值，这意味着在电流通过时产生的热量损耗被大幅削减，电能得以更纯粹地转化为有用功。无论是服务器电源、工业变频器，还是电动工具、新能源车的辅助驱动单元，DMT10H009LFG-7都能游刃有余地应对高频率开关和持续大电流的严苛挑战，确保系统运行更冷静、更持久。

将目光投向实际应用，这颗芯片的价值无处不在。在紧凑的5G通信基站电源模块里，它的PowerDI3333-8超薄封装节省了宝贵的PCB空间，同时其优异的散热性能（Tc下功率耗散达30W）保障了设备在高温环境下的稳定运行。对于蓬勃发展的两轮电动车控制器，低至2.5V的栅极阈值电压使其能与主流MCU轻松配合，实现精准高效的电机控制，直接提升车辆的续航里程和动力响应。选择DMT10H009LFG-7，就是选择了一种可靠的设计哲学：它通过降低导通损耗和开关损耗，直接提升了整机效率，减少了散热系统的复杂度和成本。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）更是为产品应对全球各种极端气候提供了坚实保障。当您寻求稳定可靠的货源与技术支持时，我们的DIODES授权代理渠道将为您提供从选型到量产的全方位服务。让这颗高效能的“能量开关”，成为您下一代产品中看不见却至关重要的竞争力核心。

• 型号:DMT10H009LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 13A/50A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2361 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMT10H009LFG-7的官网价格：2000:$0.54778，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。